界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响.docVIP

界面缺陷态密度与衬底电阻率取值对硅异质结光伏电池性能的影响 界面缺陷态密度与衬底电阻率取值 对硅异质结光伏电池性能的影响? 周骏1,2, 邸明东2, 孙铁囤3，孙永堂2，汪昊2 （1. 宁波大学理学院光学与光电子技术研究所, 浙江 宁波315211) （2. 江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系, 江苏 镇江 212013） （3. 常州亿晶光电科技有限公司, 江苏 常州 213223） 在不同的异质结前界面缺陷态密度(Dit1)和异质结背界面缺陷态密度(Dit2)条件下，对P型单晶硅(c-Si(p))为衬底的硅异质结太阳能电池（TCO / a–Si: H (n+) / c–Si (p) / a–Si: H (p+) / TCO）的衬底电阻率R与电池性能的关系进行数值研究。结果表明：衬底电阻率R的取值不仅决定于异质结前界面缺陷态，也与异质结背界面缺陷态有关，即前界面缺陷态密度Dit1决定衬底电阻率的最优值Rop，且Rop随着Dit1的增大而增大; Rgt;Rop时, 背界面缺陷态密度Dit2对衬底电阻率的可取值范围具有较大影响，Dit2越大可取衬底电阻率的范围越小。 关键词：SHJ太阳能电池；c–Si (p)衬底电阻率；c–Si (p)/(a–Si: H)界面缺陷；AFORS_HET PACC: 7340L, 8