湖南大学电磁场及电磁波实验内容.doc

电磁场与电磁波课程实验 实验一：T形波导的内场分析与优化设计 HFSS安装； T形波导的内场分析与优化设计，具体过程见《HFSS电磁仿真设计应用详解》第2章； 熟悉HFSS工作界面 ——《HFSS电磁仿真设计应用详解》第3章 熟悉中的建模操作 ——《HFSS电磁仿真设计应用详解》第4章4.1-4.5 实验二：HFSS软件的基本操作 1、熟悉边界条件和激励 ——《HFSS电磁仿真设计应用详解》第5章5.1、5.2.1-2、5.2.11、5.3.1-2、5.3.7 熟悉HFSS网格剖分和分析设置 ——《HFSS电磁仿真设计应用详解》第6章 熟悉HFSS的数据后处理 ——《HFSS电磁仿真设计应用详解》第8章 4、均匀平面波对理想导体和理想介质平面的垂直入射(教材第六章相关内容) 建立如上图所示的空气长方体(1mm×3mm×8mm),两侧边为PerfH边界，上下底面为PerfE边界，前端口为Port激励，后端口分别设置为：（1）PerfE边界模拟均匀平面波入射到理想导体，动态演示空气体中的驻波；（2）Imped边界，设置边界阻抗值，动态演示空气体中的电场的行驻波。右键点击Analysis选择add Solution Setup见下图 实验三：均匀平面电磁波波对介质板的垂直入射及电磁参数提取 （1）点“HFSS”——选择“Design Properties”,点左下角“Add…”在弹出的窗口中输入： 点OK，然后继续点“Add…”添加d和d1等两个变量如下图所示。 （2）点“Draw” 选择“Box”，随便建立一个长方体，右键点击Box，在弹出的菜单中选择“Assign Material… ”，在弹出的窗口任选一种非vaccum的材料，并记住其介电常数和磁导率。双击CreatBox修改Box属性为 同样再建立一个Box，其材料为Vaccum，修改其属性为： （3）设置边界条件和激励如下图所示 注意与电场积分线垂直的两个平面设置为PerfE边界，与其平行的两个平面设置为PerfH边界。 此外，Port端口设置时，注意点中Deembed，并设置如下 （4）右键点击Analysis选择add Solution Setup见下图 右键点击Setup1，选择Add Frequency sweep 任务： 计算透射系数和反射系数 根据透射系数和反射系数，反算该物质的折射率和阻抗 右键点击Properject manage中的Result，选中output variables，在弹出的窗口中，根据下式新建变量indx(折射率)；Impd(阻抗)，eps(介电常数)，mu(磁导率) (注意这里的d为介质厚度，对应模型中的d1) 右键Result-create modal solution data report-rectangular plot category选中output variables，Quantity选中eps,Function同时选re和im，画出介电常数eps的实部和虚部，同样的方法，画出mu的实部和虚部。 如果发现计算得到的eps和mu是曲线如下图所示(之前选择了材料silicon，eps=11.9，mu=1.0)，修改d1=2mm,重新计算在看结果并分析为什么。 实验四：导行电磁波与电磁辐射 微波吸收材料吸波性能优化 （1）将附件提供的吸波材料Absorb.amat复制到你的材料库目录，一般在“C:\Users\Administrator\Documents\Ansoft\PersonalLib”。 （2）点“HFSS”——选择“Design Properties”,点左下角“Add…”在弹出的窗口中输入以下变量 （3）Draw-Box，设置材料为之前导入的Absorb1， 再另外建立一个长方体，设置材料为Vacuum,并将属性修改为 （4）如图所示，在Vaccum的长方体建立一个Port激励端口，Port 端口对面设置为PerfE界面模拟吸波材料涂覆在金属表面上。其他边界条件设置如下：与电场积分线垂直的两个平面设置为PerfE边界，与其平行的两个平面设置为PerfH边界。 （5）右键点击Analysis选择add Solution Setup见下图 右键点击Setup1，选择Add Frequency sweep (5) 右键点击Optimetrics—Add—Parametric 点Add，在弹出的窗口填入如下设置，然后点Add，再点右下角OK 设置结果为： 最后点确定退出——计算2mm, 2.5mm和3mm厚度下吸波材料的反射损耗。 （6）运行结束后，右键点击Results—Create Modal Solution Data Report—Rectangular Report,点左下角的Output Variable