第一章 X射线的性质PPT.ppt

a、产生原因：与物质原子中束缚较紧的电子作用。b、特点：只改变方向，不改变能量。 散射波随入射x射线的方向改变了，但频率（波长）相同。c、新的散射波之间符合振动方向相同、频率相同、位相差恒定的干涉条件，可产生干涉作用。 相干散射是x射线在晶体产生衍射的基础。 2）非相干散射（非弹性散射、量子散射、康普顿散射） 亦称康普顿－吴有训效应 (1924) 2）非相干散射（非弹性散射、量子散射、康普顿散射） ??△λ=0.0024(1-cos2θ) 入射X射线 作用 束缚小的电子 反冲电子 X射线波长变长 a、x射线作用于束缚较小的外层电子或自由电子。b、散射x射线的波长变长了，能量减小。c、由于散射x射线的波长随散射方向而变，不能产生干涉效应。故这种x射线散射称为非相干散射。 非相干散射不能参与晶体对x射线的衍射，只会在衍射图上形成不利的背景。 亦称康普顿－吴有训效应 (1924) 小结 相干散射 因为是相干波所以可以干涉加强. 只有相干散射才能产生衍射,所以相干散射是X射线衍射基础 不相干散射 因为不相干散射不能干涉加强产生衍射,所以不相干散射只是衍射的背底 2、X射线的吸收??? 物质对X射线的吸收，是指X射线通过物质时光子的能量变成了其他形式时能量。 有时将X射线通过物质时造成的能量损失称为真吸收。 X射线通过物质时产生的光电效应和俄歇效应，使入射X射线的能量变成光电子、俄歇电子和荧光X射线的能量，使X射线强度被衰减，是物质对X射线的真吸收过程。 主要是原子内部的电子跃迁引起的。 1）荧光效应 与上述的特征X射线的产生相似，当用X射线轰击物质时（不同的是用X光管产生X射线时用的是高速电子束） ，若X射线的能量大于物质原子对其内层电子的束缚力时，入射X射线光子的能量就会被吸收，从而也导致其内层电子（如K层电子）被激发，并使高能级上的电子产生跃迁，发射新的特征X射线。为与入射的X射线相区别，我们称X射线激发的特征X射线为二次特征X射线或荧光X射线。 与上述相同，产生的二次特征X射线的波长与激发它们所需的能量取决于物质的原子种类和结构。 要使k层电子产生光电效应，入射x射线的能量必须大于等于原子中k层电子的逸出功wk，　 hv≥wk wk= evk　 将入射x射线的波长与激发电压联系起来就有:　　 hc/λ≥ev或　 hc/evk≥λ 能引起光电效应的入射x射线的最大波长（单位：nm): 　　　　　　 ????????????????????????????????????????????? 　　λk 从激发光电效应的角度说，称为激发限波长，意义是只有入射的x射线波长达到或小于它时，才能激发物质的二次特征x射线。　　从x射线被吸收的角度看，称为吸收限波长。意义是当入射的x射线的波长达到它时，入射x射线将被该物质强烈吸收，并产生光电效应。 与连续辐射中短波限公式形式上非常相似，但物理意义完全不同。前者说明连续谱的短波限λ0随管电压的增高而减小，而后者说明每种物质的K激发限波长都有它自己特定的值。 已知，Kα线和Kβ线发射分别对应于L到K和M到K能级之间的电子跃迁，而K吸收限的能量相当于K层电子的结合能或逸出功，即K能级与原子第一个自由能级之间的能量差。因此，对于一个给定的元素，就有 ????λk吸收 〈λkβ发射〈λkα发射 2） 俄歇效应 俄歇（Auger，M.P.）在1925年发现当高能级的电子向低能级跃迁时，能量不是产生二次x射线，而是被周围某个壳层上的电子所吸收，并促使该电子受激发逸出原子成为二次电子。这种效应称俄歇效应，产生的二次电子称俄歇电子。 二次电子具有特定的能量值。可以用来表征这些原子。利用该原理制造的俄歇能谱仪主要用于分析材料表面的成分。 X的吸收小结 光电子 被X射线击出壳层的电子即光电子,它带有壳层的特征能量,所以可用来进行成分分析(XPS) 俄歇电子 高能级的电子回跳,多余能量将同能级的另一个电子送出去,这个被送出去的电子就是俄歇电子带有壳层的特征能量(AES) 二次荧光 高能级的电子回跳,多余能量以X射线形式发出.这个二次X射线就是二次荧光也称荧光辐射同样带有壳层的特征能量 小结 散射 散射无能力损失或损失相对较小 相干散射是X射线衍射基础,只有相干散射才能产生衍射. 散射是进行材料晶体结构分析的工具 吸收 吸收是能量的大幅度转换,多数在原子壳层上进行,从而带有壳层的特征能量,因此是揭示材料成分的因素 吸收是进行材料成分分析的工具 可以在分析成分的同时告诉你元素价态 3、X射线的衰减规律 x射线通过物质时，x射线强度衰减了。其中，因散射引起的衰减远远小于因吸收导致的衰减量。因此，可以近似地认为