第3章集成电路及触发器.pptVIP

第3章 集成门电路与触发器 数字集成电路的分类 半导体器件的开关特性 逻辑门电路 触发器 3.1 数字集成电路的分类 按照半导体器件的性质不同，可分为： 双极型集成电路（采用双极型半导体作元件） TTL (Transistor Transistor Logic) ECL (Emitter Coupled Logic) IIL (Integrated Injection Logic) MOS集成电路（采用金属氧化物做元件） PMOS (P-channel Metal-Oxide-Semiconductor) NMOS (N-channel Metal-Oxide-Semiconductor) CMOS (Complement Metal-Oxide-Semiconductor) 3.根据设计方法分类 非用户定制电路：通用集成电路，又称为标准集成电路 全用户定制电路：满足用户特殊要求而专门生产的电路，又称专用集成电路(ASIC) 半用户定制电路：由生产厂家提供功能不确定的半成品集成电路 3.2 半导体器件的开关特性 数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管等器件一般是以开关方式运用的，其工作状态相当于开关的“接通”与“断开” 研究这些器件的开关特性时，不仅要研究它们的静态特性，而且还要分析它们的动态特性 3.2.1 晶体二极管的开关特性 静态特性：指二极管在导通和截止两种稳定状态下的特性 由于二极管的单向导电性，所以在数字电路中把它当作开关使用 3.2.1 晶体二极管的开关特性 动态特性：指二极管在导通与截止两种状态转换过程中的时间特性，分为反向恢复时间和正向开通时间 恢复时间：从正向导通到反向截止所需要的时间 开通时间：二极管从反向截止到正向导通的时间 3.2 半导体器件的开关特性 3.2.2 晶体三极管的开关特性 三极管的三种工作状态 开关三极管的理想等效状态图 3.2.3 MOS管的开关特性 MOS管的四种类型符号 3.3 逻辑门电路 二极管门电路 三极管门电路 TTL集成逻辑门电路 CMOS集成逻辑门电路 正逻辑和负逻辑 3.3.1 二极管逻辑门电路 3.3.2 三极管反相器 3.3.3 TTL集成逻辑门电路 典型TTL与非门工作原理 常用TTL集成门电路 两种特殊的TTL门电路 (1)集电极开路门；(2)三态输出门。 典型TTL与非门工作原理 主要外部特性参数 TTL与非门的主要外部特性参数有输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、扇出系数、平均传输时延和空载功耗等。 1、输出高电平、低电平 输出高电平VOH ：指至少有一个输入端接低电平时的输出电平。典型值是3.6V。产品规范值为VOH≥2.4V 输出低电平VOL：指输入全为高电平时的输出电平。典型值是0.3V，产品规范值为VOL≤0.4V 2、开门电平与关门电平 开门电平VON：指在额定负载下，使输出电平达到标准低电平的输入电平，它表示使与非门开通的最小输入电平。VON的产品规范值为VON≤1.8V。 关门电平VOFF ：指输出空载时，使输出电平达到标准高电平的输入电平，它表示使与非门关断所允许的最大输入电平。产品规范值VOFF≥0.8V。 3、扇入系数和扇出系数 扇入系数Ni ：指与非门允许的输入端数目。 扇出系数No：指与非门输出端连接同类门的最多个数。 　　 4、平均传输延迟 指一个矩形波信号从与非门输入端传到输出端(反相输出)所延迟的时间。 通常将从输入波上沿中点到输出波下沿中点的时间延迟称为导通延迟时间tpdL。从输入波下沿中点到输出波上沿中点的时间延迟称为截止延迟时间tpdH。 平均延迟时间为 ： tpd = ( tpdL+ tpdH )/2 5、平均功耗 指空载导通功耗和空载截止功耗的平均值。 输出为低电平时的功耗称为空载导通功耗PON，输出为高电平时的功耗称为空载截止功耗POFF 。 平均功耗为： P =(PON + POFF)/2  6、输入短路电流和输入漏电流 输入短路电流IiS ：指当与非门的某一个输入端接地而其余输入端 悬空时，流过接地输入端的电流。 输入漏电流IiH：指某一输入端接高电平，而其他输入端接地 时，流入高电平输入端的电流。 常用TTL集成门电路 两种特殊的门电路—集电极开路门(OC门) 两种特殊的门电路—集电极开路门 两种特殊的门电路—三态输出门(TS门) 3.3.4 CMOS集成逻辑门 CMOS反相器 CMOS与非门 CMOS或非门 CMOS三态门 CMOS传输门 一、 CMOS反相器 由一个N沟道增强型MOS管TN和一个P沟道增强型MOS管TP组成 二、CMOS与非门 由两个串联的NMOS管和两个并联的PMOS管构成 三、 CMOS或非门 由