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硅片平整度知识讨论 IQC 2006-4-20 硅片平整度知识讨论 主要内容如下： 1、硅片平整度定义； 2、硅片平整度测量； 3、硅片平整度规范 4、硅片使用中异常举例 平整度SEMI 标准 关键字注释 习惯用语 SEMI 标准用语 新SEMI 标准 关键字注释 TTV GBIR Global flatness back ideal range TIR GFLR Global flatness front least-squares range STIR SFQR Site flatness front least-squares range LTV SBIR Site flatness back ideal range FPD GFLD GF3D Global flatness front least-squares deviation Global flatness front 3 point deviation TTV(Total Thickness Variation) 定义：TTV = a – b ( SEMI标准中为GBIR ) 说明： 1.参考平面 B为Wafer背面 TIR(Total Indicator Reading ) 定义：TIR = |a| + |b| ( SEMI标准中为GFLR ) 说明： 1.参考平面(bf) G为距上表面所有点截距之和最小的平面； Bow 定义：Bow=1/2 * ( b -f ) 说明： 1.参考平面 W 以Wafer上三点确定，此三点组成一等边三角形 2.凸的Wafer Bow值为正，凹的Wafer Bow值为负； 3mm 120° 120° LTV(Local Thickness Variation) 定义：LTVi = ai – bi i=1,2,3,4,...,n( SEMI标准中为SBIR ) 说明： 1.参考平面B为Wafer背面； 2.LTV max= Max( LTV1, LTV2,...,LTVn) STIR(Site Total Indicator Reading) 定义：STIRi = | ai |+ | bi | i=1,2,3,4,...,n ( SEMI标准中为SFLR ) 说明： 1.参考平面G i通过每一单元块的中心且平行于wafer上表面的拟合平面bf G； 2.G为距单元块上每一点截距最小的平面； 3.STIR max= Max( STIR1, STIR2,..., STIR n)； STIR/L- Site(Site Total Indicator Reading) 定义：STIRi /L= | ai |+ | bi | i=1,2,3,4,...,n ( SEMI标准中为SFQR ) 说明： 1.参考平面bf G i为距单元块上每一点截距最小的平面； 2. STIRi /L max= Max(STIR1 /L , STIR2 /L ,..., STIRn /L )； SFPD/L-Site 定义：SFPD i /L= ± Max( | ai |, | bi | ) i=1,2,3,4,...,n ( SEMI标准中为SFQD ) 说明： 1.| a | | b | ,取正值； | a | | b | ,取负值； 2.参考平面bf L i为距单元块上每一点截距最小的平面； 3. SFPD /L max= Max(SFPD 1 /L, SFPD 2 /L,..., SFPD n /L) SFPD/G-Site 定义：SFPD i/G = ± Max( | ai |, | bi | ) i=1,2,3,4,...,n ( SEMI标准中为SFLD ) 说明： 1.| a | | b | ,取正值； | a | | b | ,取负值； 2.参考平面G i通过每一单元块的中心且平行于wafer上表面的拟合平面bf G； 3. SFPD /G max= Max(SFPD 1/G , SFPD 2/G ,..., SFPD n/G ) SEMI Standard FQA MeasurementMethod ReferenceSurface ReferencePlane and Area ReferencePlane and Area ReferenceSurface Site SizeandArray Parameter Parameter GBIR GF3R GF3D GFLR GFLD SF3R SF3D SFLR SFLD SFQR SFQD SBIR SBID Range Range Deviation Range Deviation Ran