第七章离子注入课件.pptVIP

第七章：离子注入;7.1 引 言;离子注入系统图;离子注入是继扩散之后的第二种掺杂技术，是现代先进的集成电路制造工艺非常重要的技术。有些特殊的掺杂（如小剂量浅结掺杂、深浓度峰分布掺杂等）扩散是无法实现的，而离子注入却能胜任。 ; 离子注入的优点： 1. 精确地控制掺杂浓度和掺杂深度 离子注入层的深度依赖于离子能量、杂质浓度依 赖于离子剂量，可以独立地调整能量和剂量，精 确地控制掺杂层的深度和浓度，工艺自由度大。 2. 可以获得任意的杂质浓度分布 由于离子注入的浓度峰在体内，所以基于第1点 采用多次叠加注入可以获得任意形状的杂质分 布，增大了设计的灵活性。; 离子注入的缺点： 1. 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤 2. 注入设备复杂昂贵;7.2 离子注入工艺原理;注入能量 离子注入的能量用电子电荷与电势差的乘积来表示。单位：千电子伏特KEV 带有一个正电荷的离子在电势差为100KV的电场运动，它的能量为100KEV;射程、投影射程 具有一定能量的离子入射靶中，与靶原子和电子发生一系列碰撞（即受到了核阻止和电子阻止）进行能量的交换，最后损失了全部能量停止在相应的位置，离子由进入到停止所走过的总距离，称为射程用R表示。这一距离在入射方向上的投影称为投影射程 Rp。投影射程也是停止点与靶表面的垂直距离。 ;投影射