辐射探测学基础.ppt

2) 杂质半导体 杂质类型：替位型，间隙型。 (1) 替位型：III族元素，如B，Al，Ga等； V族元素，如P，As，Sb等 (2) 间隙型：Li，可在晶格间运动。 3) 施主杂质(Donor impurities)与施主能级 施主杂质为V族元素，其电离电位ED很低，施主杂质的能级一定接近禁带顶部(即导带底部)。在室温下，这些杂质原子几乎全部电离。由于杂质浓度远大于本征半导体导带中的电子浓度，多数载流子为电子，杂质原子成为正电中心。掺有施主杂质的半导体称为N 型半导体。 电子浓度： 施主杂质浓度 * * * * * * * * * 辐射探测学基础 射线与物质的相互作用 ——不带电粒子与物质相互作用 ?、X射线 特征?射线： 湮没辐射： 核能级跃迁 正电子湮没产生 特征X射线： 原子能级跃迁 轫致辐射： 带电粒子速度或运动方向改变产生 特点： ?光子是通过次级效应(一种“单次性”的随机事件)与物质的原子或原子核外电子作用，一旦光子与物质发生作用，光子或者消失或者受到散射而损失能量。 次级效应主要的方式有三种，即光电效应、康普顿效应和电子对效应。 ?射线与物质发生不同的相互作用都具有一定的概率，仍用截面这个物理量来表示作用概率的大小。而且，总截面等于各作用截面之和，即： 总截面 光电效应截面 康普顿效应截面 电子对效应截面 1、光电效应Photoelectric Effect ?射线(光子)与物质原子中束缚电子作用，把全部能量转移给某个束缚电子，使之发射出去(称为光电子photoelectron)，而光子本身消失的过程，称为光电效应。 光电效应是光子与原子整体相互作用，而不是与自由电子发生相互作用。因此，光电效应主要发生在原子中结合的最紧的 K层电子上。 光电效应发生后，由于原子内层电子出现空位，将发生发出特征X射线或俄歇电子的过程。 俄歇电子 原子内层电子被激发电离形成空位，较高能级电子跃迁至该空位，多余能量使原子外层电子激发发射，形成无辐射跃迁，被激发的电子即为俄歇电子 光电截面 入射光子与物质原子发生光电效应的截面称之为光电截面。 ?k为k层光电截面 理论上可给出的光电效应截面公式。 对： ，即非相对论情况 ，经典电子散射截面，又称Thomson截面。 对： ，即相对论情况 光电效应截面小结： 对于选择探测器的材料： 对防护、屏蔽?射线： (1) 与吸收材料Z的关系 ?光子能量越高，光电效应截面越小。 (2) 与射线能量的关系 采用高原子序数的材料，可提高探测效率。 采用高Z材料可以有效阻挡?射线。 2、康普顿效应 Compton Effect 康普顿效应是?射线(光子)与核外电子的非弹性碰撞过程。在作用过程中，入射光子的一部分能量转移给电子，使它脱离原子成为反冲电子，而光子受到散射，其运动方向和能量都发生变化，称为散射光子。 康普顿散射可近似为光子与自由电子发生相互作用（弹性碰撞）。康普顿效应主要发生在原子中结合的最松的外层电子上。 对整个原子的康普顿散射的总截面 Z 大，康普顿散射截面大； 入射粒子能量大，康普顿散射截面小。 康普顿散射截面与入射光子能量的关系比光电效应要缓和。 3、电子对效应 Pair Production 电子对效应是当入射?射线(光子)能量较高(1.022MeV)时，当它从原子核旁经过时，在核库仑场的作用下，入射光子转化为一个正电子和一个电子的过程。 电子对效应除涉及入射光子与电子对以外，必须有第三者——原子核的参与，否则不能同时满足能量和动量守恒。电子对效应要求入射光子的能量必须大于1.022MeV。 3) 电子对效应的截面 当： 时： 电子对效应截面随Z的增加而增加，也随入射粒子的能量的增加而增加。 当： 稍大于 时： 屏蔽总结 与吸收材料Z 的关系 1） 2） 3） 因此屏蔽γ射线时,以采用原子序数高的重物质为最好。 能量低、原子序数高——光电效应为主 中等能量——康普顿效应为主 能量高、原子序数高——电子对效应为主 辐射探测器 ——气体探测器 对于辐射是不能感知的，因此人们必须借助于辐射探测器探测各种辐射，给出辐射的类型、强度(数量)、能量及时间等特性。即对辐射进行测量。 辐射探测器的定义：利用辐射在气体、液体或固体中引起的电离、激发效应或其它物理、化学变化进行辐射探测的器件称为辐射探测器。 为什么需要辐射探测器？ 探测器按探测介质类型及作用机制主要分为： 气体探测器； 闪烁探测器； 半导体探测器。 探测器的主要性能指标 探测效率——探测器探测到的粒子数与在同一时间间隔内