一种薄膜太阳能电池及其制备方法.pdf

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2018-10-31 发布于贵州
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一种薄膜太阳能电池及其制备方法

[51 ] Int. cf [19J 中华人民共和国国家知识产权局 HOIL3 1/06 HOIL 31118 [12J 发明专利申请公开说明书 [21J 申请号 200310117412.5 [43] 公开日 2004 年 11 月 17 日 [11] 公开号 CN 1547260A [22] 申请日 2003.12.17 [74] 专利代理机构广州粤高专利代理有限公司 [21] 申请号 200310117412.5 禹小明代理人 [71] 申请人华南理工大学地址 510640 广东省广州市天河区五山路381 号 [72] 发明人姚若河郑学仁权利要求书1 页说明书2 页附图 1 页 [54] 发明名称一种薄膜太阳能电池及其制备方法 [57] 摘要本发明公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方 202 法。该薄膜太阳能电池依次由衬底、电极、 p 型铜锢晒层、 n 型硫化幅层、 p 型多晶硅层、 n 型多晶硅卜寸 7 层和电极叠层构成。本发明薄膜太阳能电池的制 6 N 备方法依下列步骤进行( 1)采用磁控溅射加真空 5 寸晒化退火方法在衬底上制备 p 型铜锢晒(CIS) 膜: (2 )用真空蒸发方法在 p 型铜锢晒(CIS) 膜上生长n 4 l 型硫化铺( CdS) 层形成铜锢晒/硫化铺(CIS/CdS) 复 3 。。 ∞ 合结构 (3 )在铜锢晒/硫化幅( CIS/CdS) 复合结构 201 Z H 上采用 PCVD 工艺和金属诱导固相晶化方法制备p 型多晶硅层、 n 型多晶硅层 (4) 形成多晶硅-铜锢晒叠层复合结构的薄膜太阳能电池。 ∞ ∞