超声波无损检测知识讲座4之超声波的获得和超声场、衰减.ppt.pptVIP

超声波无损检测知识讲座4 ——超声波的获得和超声场、超生波的衰减 超声波的获得 一、超声波的获得 压电效应：某些晶片受到拉力或压力 时，在晶片的界面上会产生电荷，此 现象称为压电效应；可用作接受超声 波信号。 逆压电效应：在电场的作用下，晶片 发生弹性变形的现象称为逆压电效应； 用作发射（产生）超声波。 超声场 超声场的形貌随波源和传播介质的形状、尺寸等不同而各异，一般 以圆晶片辐射声波来描述超声场的 结构。当晶片在高频电场作用下产 生的振动，经耦合向工件辐射时， 该波源可看作由无数的子波在空间发 出球面波，相互叠加形成超声场的特 殊结构。声源正前方声能集中的锥形 区称为主声束，其中声轴上的声能最 大，紧靠声源附近，主声束周围的区 域称为副声束，副声束轴线倾斜于晶 片表面，能量弱，截面小，且声压变化无规律。一般分为两个区域，即近场区和远场区。这两个区域声压的变化情况大致如下（以纵波在声轴线上的变化为例推导）： 超声场 （一）、纵波声源在声轴线上的声压分布 ds-晶片上任一点 P0-起始声压 P –声轴线上任一点声压 D -晶片直径 当a 时，即： N-近场长度 A-晶片面积 超声场 声压和距离的变化： 注：晶片的厚度和频率成反比。即： 超声场 （二）、近场区的长度（0≤X≤N） 邻近换能器并具有复杂声束能量的区域叫近场区，又称近场干涉区。近场内声轴上声源高低起伏变化剧烈，距声源越近，声压最大值和最小值的点分布越密集。由于近场区声压分布的复杂性，对检测和定量都带来一定的难度，应尽量避免在近场区探伤、定量。 主声轴线上最后一个声压最大值与晶片表面间的距离称为近场区长度，用符号“N”表示，N值以内的区域为近场区。N值的大小与晶片直径D和波长λ有关。 标准公式： （1） 因为Dλ 所以λ可忽略 简化公式： （2） 或 （3） 超声场 斜探头在计算N值时，由于声束有了折射，所以需计算出晶片在投影后的有效面积，然后再换算： （4） 式中：A0-晶片有效面积；λ-横波波长； β、α-分别为横波的折射角和纵波的入射角。 由以上式中可以看出： 段声压的变化太复杂，声压和距离没有明显的比例关系，难以计算和确认。 超声场 （三）、远场区（X＞N） 近场以远的声场即“N”值以外的区域成为远场区。在远场区中超声波以一定的指向角传播，而且随着距离的增大，声压幅值呈单调的下降趋势。当X≥3N时。声压的变化规律和球面波相似，因此在探讨远场中声压变化规律时均运用球面波声压关系式进行计算。 例：5MHz直探头，其直径D为20mm探钢试件，求：N ？（钢的声速为5900M/s） 解1： = ≈1.18mm =20 × =84.7m