生产过程静防护.pdfVIP

序 言  随着微电子工业制造技术的飞速发展，集成电路 的集成度不断提高，采用0.1 5~0.25m m制造工艺的 CMOS和GaAs （砷化镓）器件被广泛使用，其耐击穿 电压下限通常只有50V~100V。有着更高集成度的超高 速、高频IC器件，采用了特殊的制造工艺，如薄膜技 术、浅PN结、GaAs材料、微小封装等，其对ESD、电 浪涌、机械应力、热应力等更为敏感，有的VMOS器件 耐压只有30V。这就给含有上述静电敏感器件产品的生 产制造过程提出了更严格的静电防护要求。 静电现象  一、何为静电？  静电就是物体表面过剩或不足的相对静止 电荷，它是电能的一种表现形式。静电是正负 电荷在局部范围内失去平衡的结果，是通过电 子转移而形成的。这些不平衡的电荷，就产生 了一个可以衡量其大小的电场，称为静电场， 它能影响一定距离内的其它物体，使之感应带 电，影响距离之远近与其电量的多少有关。 二、静电放电(ESD)现象  静电放电 （ESD），就是具有不同静电势