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1.3 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。 BJT是由两个PN结组成的。 一.BJT的结构 二． BJT的内部工作原理 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。 2．电流分配关系 三个电极上的电流关系: （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联（呈二极管特性）。 (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 四. BJT的主要参数 1.电流放大系数 （1）共射极电流放大系数： 2.极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 半导体三极管的型号 例 ：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 四、稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管 正向同普通二极管 稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向击穿电压。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作 电流IZmin—— 维持稳压管击穿的最小电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流IZmax—— 受稳压管最大允许功耗限定的电流，超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。 习题P28 1.2 1.3 1.5 1.7 NPN型 PNP型 符号: 三极管就是两个PN结的结合。但具有以下三个特征： （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区很薄且掺杂浓度很低。 （3）集电区的体积＞＞发射区。 若要工作在放大工作状态，必须保证： 发射结加正向电压（发射载流子）， 集电结加反向电压 （收集载流子）。 1．BJT内部的载流子传输过程  另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 IE =IC+IB 定义： (1)IC与I E之间的关系: 所以: 其值的大小约为0.9～0.99。 (2)IC与I B之间的关系： 联立以下两式： 得： 所以： 得： 令： 三. BJT的特性曲线（共射极接法） (1) 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const （3）uCE再增加时，曲线右移很不明显（因为集电极收集电子的增量受限）。 （2）当uCE≥1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 （1）当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。 （2） uCE ↑ → Ic ↑ 。