2012CB934200G新型微纳结构硅材料及广谱高效太阳能电池的研究.docVIP

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2012CB934200G新型微纳结构硅材料及广谱高效太阳能电池的研究

项目名称: 新型微纳结构硅材料及广谱高效太阳能电池研究 李晋闽 中国科学院半导体研究所 2012.1至2014.8 中国科学院 本项目的主要任务是发展和形成超快脉冲激光微纳制备具有优异光电转化特性的硅材料的新方法,并力争通过采用该方法在发展新型、高效太阳能电池的新原理和新技术方面取得创新性突破,为我国研发具有自主知识产权的高效第三代光伏电池奠定坚实基础。为此,我们需要解决的关键科学问题包括: 1) 超快脉冲激光在硅材料中产生微纳结构的机理 黑硅表面准有序晶锥是在脉冲激光下形成的,其结构和形成过程与激光波长脉宽关黑硅结构缺陷和复合中心技术突破,掌握自主知识产权的核心以开发新型微构造黑硅材料及其广谱高效太阳能电池器件为主要目标,超脉冲激光辐照研究弱激发下介质的瞬态响应,分析其中的光电互作用机理和力学效应;实时观测激发光在固体表面产生准周期波纹图案的形成过程,揭示激发光与物质相互作用机理;研究飞秒与半导体表面相互作用的非线性动力学过程研究硫系掺杂元素在微纳结构层内的浓度、分布和化学结构,及其对硅表面能带的影响,对太阳光谱尤其是近红外光吸收率的影响;研究热退火和激光快速退火对降低激光辐照引起的晶格损伤和对光谱吸收率变化的影响,提高硅材料的载流子迁移率;深入理解硅特点及其实质内涵,为制备硅太阳能电池奠定基础。 (3)新型微纳结构硅太阳能电池设计与制备 微纳结构硅材料中内建电场的结构与制备方法。包括采用扩散和气相沉积等多种方法制备PN结。从理论和实验两个方面对比研究适合微纳结构硅材料PN结的结构和制备工艺技术。研究深能级子带对费米能级、内建电场、少子寿命和电池开路电压的影响;分析黑硅/硅pn结能带结构,研究微纳结构硅材料中的光生电子—空穴对的产生、分离、输运过程,建立微纳结构硅材料中光生载流子的输运模型。制备高效微纳结构硅太阳能电池,分析影响微纳结构硅太阳能电池短路电流、和开路电压的瓶颈因素,探索提高黑硅太阳能电池光电转换效率的途径。 基于中间带模型,设计、优化中间带电池结构,将亚带隙光子纳入电池吸收范围。研究微纳结构硅太阳电池对低能量光子(红外光谱)光电转换特性。探索中间子带有效调控手段,提炼电池性能与其具体的依存关系,为新型微纳结构硅太阳电池的发展开创一条新的思路。探索利用介质层包覆,在更大范围内对表面等离激消光峰进行调控,同时实现表面缺陷的钝化,研究表面等离激元陷光层的陷光效果,提高太阳电池性能。 二、预期目标 1、总体目标 从当前我国能源领域发展的重大需求出发,选择具有自己特色和良好基础以及可能引发新的技术革命的新型微纳结构硅材料及其广谱高效太阳能电池为突破点,提高我国半导体材料科学研究整体水平和创新能力,确立我国在太阳能电池材料及器件在国际上的先进地位,推动可再生清洁能源研究发展。及器件物理研究的科研团队。 三、研究方案 1、学术思路 根据有限目标、重点突出的原则,从知识创新的高度出发,以国家对能源的重大需求为背景,开展超快脉冲激光在硅材料中产生微纳结构的机理、微纳结构硅材料的带隙结构与光生载流子特性、及突破Shockley-Queisser极限的高效硅基太阳能电池的新原理和新结构三个关键科学问题的基础研究,从微纳结构硅的深能级理论研究与多途径的材料制备入手,力求从物理本质上优化微纳结构硅材料结构的设计和器件制备工艺。通过多学科的交叉,以及各种实验、表征手段的互相配合,设立阶段性目标,循序渐进,在基于超快脉冲激光微纳制备和检测技术的新型高效太阳能电池研究中取得原创性重大成果,发展具有自主知识产权的新型微纳结构硅材料和太阳能器件的制备技术,建立相应理论与材料/器件制备的原始技术创新体系,研制出新一代太阳能光伏器件。 2、技术途径 图1 技术途径 技术途径如图所示,即利用超快脉冲激光制作黑硅材料⑴,建立表面作用机理模型⑵,调整激光参数⑶;对黑硅材料进行退火等工艺处理⑷,对其进行显微结构、光学、电学特性表征⑸,分析后建立材料物理模型⑹,修正材料制备参数⑺和工艺处理⑻;提高材料质量并制备器件⑼,进行器件参数测试⑽,建立器件物理模型⑾,并将测试结果反馈到材料制作⑿、工艺处理⒀、和器件制作⒁,进一步优化器件参数,完善材料制作技术和新型硅电池制作技术。 超脉冲激光辐照:通过飞秒激光作用硅表面等稳态和瞬态光谱测量,研究弱激发下介质的瞬态响应,分析其中的光电互作用机理和力学效应;通过系统研究激光波长、脉冲宽度、激发频率、单脉冲峰值功率等条件,实时观测激发光在固体表面产生准周期波纹图案的形成过程,分析各参数对波纹图案形成的影响力度,从而揭示激发光与物质相互作用机理;同时通过更换不同晶向硅片,包括非晶硅以及其它固态介质如金属、有机物、电介质、玻璃等材料,研究表面准周期材料固有的晶格对称性、应力、缺陷态之间的关系。理论上将

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