3场效应管及其基本放大电路.ppt

解方程得：IDQ1 = 0.69 mA，UGSQ = – 2.5V (增根，舍去) 2. 共漏放大电路 例E N沟道增强型MOS管的UGS（th）=2V，uDS=0.5V ，uGS=3V ，iD=1mA ，试问MOS管工作在什么区？此时漏源电阻RDS=? uGS UGS(th) iD UGS(th) uGD= uGS - uDS =3-0.5=2.5V D端开启 UGS(th) uGS=3V MOS管工作在可变电阻区 S端开启 例F 3个MOS管的各极电位和开启电压如表所示，分析各管的工作状态。 5 0 6 -4 T3 -10 -3 0 -4 T2 3 1 -5 4 T1 VD(V) VG(V) VS (V) UGS(th) (V) 管号 解： 可变阻 -5-4 D开启 ＝-6-4 S开启 -4 ， P,增 T3 夹断 =-3-4 S夹断 -4， P,增 T2 恒流 =-24 D夹断 ＝64 S开启 4，N,增 T1 工作状态 UGD(V) UGS (V) UGS(th) (V) 管号 4 – 4 O uGS /V iD /mA UGS(th) 因为给定为UGS(th) ，故都为增强型 3.3　场效应管的主要参数 及交流小信号模型 3.3.1 场效应管的主要参数 3.3.2 场效应管的交流小信号模型 3.3.1 场效应管的主要参数 开启电压 UGS(th)(增强型) 夹断电压 UGS(off)(耗尽型) 指 uDS = 某值，使漏极 电流 iD 为某一小电流时 的 uGS 值。 UGS(th) UGS(off) 2. 饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管， 当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 IDSS uGS /V iD /mA O S G D uDS + - uGS + - iD iS S G D uDS + - uGS + - iD iS (适用于所有场效应管) 3. 直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时，栅、源间加 反向电压呈现的直流电阻。 JFET：RGS 107 ? MOSFET：RGS = 109 ? 1015?? S G D uDS + - uGS + - iD iS S G D uDS + - uGS + - iD iS 4. 低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。一般为几毫西 (mS) uGS /V iD /mA Q O PDM = uDS iD，受温度限制。 5. 漏源动态电阻 rds 7. 最大漏极功耗 PDM S G D uDS + - uGS + - iD iS S G D uDS + - uGS + - iD iS 8. 最大漏极电流 IDM 9. 栅源击穿电压 UBR(GS) 10. 漏源击穿电压 UBR(DS) 6. 极间电容 Cgs ， Cgd ， Cds G D S iD + – uDS + – uGS gm —跨导， rds —输出电阻。 通常 rgs →∞ ， rds RL，故可以忽略（认为断开）。 rds FET的低频小信号模型 rgs id S gmugs + ugs ? + uds ? G D 为什么要建立小信号模型？为了便于分析！ 3.3.2 场效应管的交流小信号模型 对于N沟增强尽型，根据 uGS /V iD /mA UGS (th) O uGS /V iD /mA IDSS UGS(off) O 对于N沟道耗尽型，根据 对于P沟道增强型、耗尽型，根据？ gm=? 3.4　场效应管放大电路 3.4.1 场效应管放大电路的静态偏置及静态分析 3.4.2 场效应管放大电路的动态分析 1. 自给偏压电路 +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG RS G S D UGSQ = VGQ – VSQ =– IDQRS0 (ID=IS) 3.4.1 场效应管放大电路的静态偏置及静态分析 栅极电阻 RG 的作用： (1)为栅偏压提供通路 (2)泻放栅极积累电荷 源极电阻 RS 的作用： 提供负栅偏压 漏极电阻 RD 的作用： 把 iD 的变化变为 uDS 的变化 偏置电压 UGS由谁提供？ +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG RS G S D 估算法静态分析 解方程组得 直流通路 IDSS—饱和漏极电流 UGS(off)—夹断电压 Q uGS(v) iD (mA) uGS(off) iDSS UGS=- IDRS UDS=VDD -ID(RD+RS) 图解法静态分析 +VDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG RS G S D 直流通路 Q iD (mA) u