电子技术基础课程教案.docVIP

《电子技术基础》课程教案 1、任课教师：李招城 2 、授课时间： 2010 学年 3 、本课程教学目的： 　　本课程是电子通信等类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；学会使用 PSPICE 软件对电子线路的分析；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 4、本课程教学要求： 掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 第一章　　半导体元件件基础 本章的教学目标和要求： 　　要求学生了解半导体基础知识；掌握二极管基础知识，掌握二极管应用；掌握双极型晶体管（ BJT ）工作原理，静态伏安特性曲线， BJT 的主要参数；对比学习场效应管（ FET ）的原理和特性曲线。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） 1 ． 1 　半导体基础知识 1 1 ． 2 　半导体二极管 1 1 ． 3 　双极型晶体管 2 1 ． 4 　场效应晶体管 2 本章重点： PN 结内部载流子的运动， PN 结的特性，二极管的单向导电性、三极管的电流放大作用、场效应管的压控特性，以及三种器件的等效电路。 本章难点： PN 结的形成原理，器件的非线性伏安特性方程和曲线，场效应管的工作原理 本章主要的切入点： “管为路用” 从 PN 结是半导体器件的基础结构， PN 结的形成原理入手，通过对器件的非线性伏安特性的描述，在分析电路时说明存在的问题，引出非线性问题线性化的必要性和可行性；场效应管的特性则直接通过对比三极管特性来理解，避开各种场效应管的不同结构的讨论。 本章教学方式： 课堂讲授 本章课时安排： 6 本章习题： 《模拟电子技术》 1 ． 2 、 1 ． 4 ； 1 ． 6 、 1 ． 9 ； 1.10 、 1.11 。 本章的具体内容： 1 节： 一、介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法。 二 、 1.1 半导体二极管 1.1.1 P N 结的形成与特性 1 ． PN 结的形成 重点 : PN 结的形成过程。 2.PN 结的特性 1 ） PN 结的正向导通特性 2 ） PN 结的反向截止特性 重点 : PN 结的单向导电性、伏安特性曲线的意义，伏安方程的应用。 1.1.2 二极管的结构和类型 1 ． 点接触型二极管 2 ． 面接触型二极管 1.1.3 二极管的特性及参数 1 ． 二极管伏安特性 1 ） 正向特性 2 ） 反向特性 2 ． 二极管的主要参数 1 ）最大整流电流 I FM  2 ）最高反向工作电压 U RM  3 ）最大反向电流 I RM 4 ）最高工作频率 f M  重点：两种管子的电路符号和特点。 1.1.4 半导体二极管的应用 1 ． 整流 2 ． 钳位 3 ． 限幅 4 ． 元件保护 1.1.5 特种二极管 1. 发光二极管及其应用 1) 发光二极管的符号及特性 2. 稳压二极管 1 ） 稳压管的伏安特性 2 ） 稳压管的主要参数 2 节 ： 1 、 BJT 结构、类型，电路符号，三种工作模式，放大模式下载流子的运动过程，电流放大作用和电流分配关系； BJT 共射特性曲线（输入、输出）；介绍 BJT 的主要参数和极限参数。 例题：器件选择，管脚判断 重点 : 电流分配关系、伏安特性曲线的特点和应用。 3 节： FET 分类介绍，以 N 沟道 NEMOS 管为例介绍 FET 工作过程， NEMOS 管的输出特性曲线，转移特性曲线；小结 FET 、 BJT 的特性差异；讲课过程中强调 FET 、 BJT 的对比性学习； NEMOS 管的主要参数和极限参数。 重点 : N 沟