第三章 探测器(三) 3.3 光探测器性能参数 光电技术知识.pptVIP

频率特性 光电池接收正弦型光照时 常用频率特性曲线表示。 负载大时频率特性变差；减小负载可减小时间常数，提高频响； 但负载电阻的减小会使输出电压降低。 RL=1k? RL=10k? RL=100k? 频率/Hz 102 103 104 相对响应 /% 100 80 60 40 20 0 温度特性 开路电压具有负温度系数，即随着温度的升高UOC值反而减小； 短路电流具有正温度系数，即随着温度的升高ISC增大。 符号 连接电路 等效电路 4. 基本电路 U=ILRL 自偏置电路（负载上的压降作为光电池的正向偏压） 零伏偏置电路（负载为零，故无自给正向偏压） 短路工作情况：短路电流与照度成线性关系。 电路见P91：图3.40 例：已知光电池2CR21在入射照度E1=300 lx时，开路电压Uoc1=310mV。求入射照度E2=400 lx时的开路电压Uoc2=？ 解：Ip=SIE1 I0时， 室温时 ， 光电二极管和光电池一样，其基本结构也是一个PN结,利用光生伏特效应制成。 二、光电二极管 在无光照时，若给PN结加上一个适当的反向电压，则反向电压加强了内建电场，使PN结空间电荷区拉宽，势垒增大； 当被光照时，在结区产生的光生载流子被加强了的内建电场拉开，光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，于是形成了以少数载流子漂移运动为主的光电流。 Ip E反 E内 与普通二极管相比: 共同点：一个PN结，单向导电性 不同点： （1）受光面大，PN结面积更大，PN结深度较浅 （2）表面有防反射的SiO2保护层 （3）外加负偏压 与光电池相比： 共同点：均为一个PN结，利用光生伏特效 应， SiO2保护膜 不同点： （1）光敏面面积比光电池的小，因此光电流比光电池的小，一般为数微安到数十微安。 （2）制作衬底材料的掺杂浓度：光电池较高—1016~1019原子数/cm3，硅光电二极管偏低子数/cm3 。 （3）光电池的电阻率低（0.1~0.01?/cm),而硅光电二极管的电阻率较高，为1000 ?/cm （4）光电池在零偏压下工作，光电二极管更常在反偏压下工作。 分类 按材料分，光电二极管有硅、砷化稼、锑化锢、铈化铅光电二极管等许多种。 按结特性：PN结（扩散层、耗尽层）、PIN结 、异质结、肖特基结 按结构分，也有同质结与异质结之分。其中最典型的还是同质结硅光电二极管。 国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。 2CU系列以N-Si为衬底， 2DU系列以P-Si为衬底。 结构 2DU管加环极的目的是为了减少暗电流和噪声。 用高阻N（P）型硅作为基片，其电阻率约为1K??cm，然后在基片表面进行P掺杂（N掺杂：用磷扩散）形成NP结构。P（N）区扩散得很浅约为1?m左右，而空间电荷区较宽，故保证了大部分光子入射到耗尽层内。在光敏面上涂上一层硅油保护膜，既可保护光敏面又可增加对光的吸收率。 3.3 光探测器性能参数 光电特性和光照特性 光电特性——当光电器件上的电压一定时，光电流与入射在光电器件上的光通量之间的关系。 光照特性——光电流与入射在光电器件上的光照度之间的关系。 线性度——探测器的输出光电流与输入光的辐射通量成比例的程度和范围。线性区的下限由暗电流和噪声等因素决定，而上限通常由饱和效应可过载决定。 （2）光谱特性 光谱响应度：就是指不同波长处的响应能力，又称为光谱灵敏度。 如果探测器对波长为λ的光辐射通量Φ 产生的输出电流为Ip，则其光谱响应度为： 类似有： 光电流或输出电压与入射光波长之间的关系。 积分灵敏度 指的是在一定条件下，单位光（辐射）量所产生的光电流（电压）大小。 由于各种器件使用的范围及条件不一致，因此灵敏度有各种不同的表示法。A/lm or A/W or V/W。 光谱灵敏度与积分响应度的关系： 光谱响应特性曲线 光谱响应曲线： 或 ~ 相对光谱响应曲线：最大值归一化为1； 峰值波长：响应率最大值所对应的波长； 截止波长：响应率下降到最大值的一半所对 应的波长；它表示探测器适用的波长 范围