非线性混沌电路元件参数测量方法探索与比较论文.docVIP

非线性混沌电路元件参数测量方法探索和比较 摘要：为了对于典型的非线性混沌电路——蔡氏电路所观察到的分岔、混沌图像有更深入的理解和分析，我们采取几种方法得到电路中所用非线性负阻的伏安特性曲线，并对电路实际工作状态下的电容、电感参数值的确定进行探索和比较 关键词：蔡氏电路、非线性负阻伏安特性、电容、电感、损耗电阻 引言： 非线性是自然界中普遍存在的现象。绝大多数非线性动力学系统，即有周期运动，又有混沌运动。而混沌既不是具有周期性和对称性的有序，又不是绝对的无序。而是可用奇异吸引子来描述的复杂的有序，混沌是非周期的有序性。 本实验建立一个非线性电路，观察振动周期发生的分岔及混沌现象，测量非线性负阻的伏安特性曲线，测量电路中的电容、电感值，从而对非线性电路及混沌现象产生的本质有充分的认识。 实验原理： 本实验中所用的非线性混沌电路是蔡氏电路。蔡氏电路的主要元件有可调电阻R，电容C1和C2、电感L以及非线性负阻Nr，如图1所示。 图1 蔡氏电路示意图 它的运行状态可以用以下方程组来描述： 其中U1为C1（或负阻Nr）两端的电压，U2为C2（或L）两端的电压，IL为通过L的电流。g(U)为非线性负阻的I-V特性函数，如图3所示，其表达式为： 该非线性负阻的内部结构如图2所示，由两个封装在一起的运算放大器（双运算放大器集成电路FL353N）和6个定值电阻（R1=3.3kΩ、R2=R3=22kΩ、R4=2.2kΩ、R5=R6=220Ω，精度1%）构成，输入电源电压±15V。 图2：非线性负阻的内部结构 图3 理想非线性负阻I-V特性示意图 为求平衡点处线性化系统的特征根，可对蔡氏电路运行状态方程组作如下处理。从而可得到其特征根的对应的局部流形，并进一步绘制出状态空间复杂的轨线结构。 实验仪器： 1、非线性电路混沌实验仪 FD-NCE-II 机号070042 图4 非线性电路混沌实验仪示意图 2、函数信号发生器 3、ZX36型旋转式电阻箱 317 最小量程0.1?，最大量程9999 ? 4、XINJIAN XJ4453A 数字示波器 5、KT7244 万用表 6、电容器 最小量程0.0001uF 7、若干导线等 实验方法与结果讨论： （一）、非线性负阻的伏安特性的测定 1、将非线性负阻与一个电阻箱串联，用伏安法测量其I-V特性曲线； 图5 外接电阻箱法测量非线性负阻的伏安特性曲线 表1 外接电阻箱法测量非线性负阻的伏安特性曲线 序号 电压范围U（V） 斜率k（A/V） 斜率不确定度uk（A/V） 截距b（mA） 截距不确定度ub（A/V） 线性系数r 1 0.010~1.652 -7.458×10^(-4) 4×10^(-7) -3.740×10^(-3) 3×10^(-4) 1 2 1.808~11.201 -4.000×10^(-4) 2×10^(-7) -0.5778 2×10^(-3) 0.99999 3 11.402~12.477 0.00375 4×10^(-5) -47.48 0.5 0.9992 如图5所示，这是外接电阻箱法测得的非线性负阻的伏安特性曲线。我们可以看到它是分段线性函数来描述的，但我们实验中只能测到I轴右侧部分以及左边很小一部分，所得伏安特性曲线不完整。这是该方法的最大缺点。 根据图5来确定分段线性拟合所选取的范围，遂得如表1所示的实验结果。 I=g（U）= 我们可求出三段线性函数的交点：U1=1.670V，I1=-1.246mA，U2=11.302V，I2=-5.098mA 于是有 I=g（U）= 对于这三段线性函数，在前两个直线拟合所选取的范围内的线性系数比后者要高出一个数量级。这是因为双运放非线性元件实际的伏安特性曲线如图6所示。 图6 双运放非线性元件实际的伏安特性曲线 最外侧两段的斜率非常陡，因此对等间隔的电压表示值对应的电阻箱调节值迅速增大，很快超出量程，使第三个直线拟合所选的范围很小，数据点相对稀疏，造成线性拟合中的误差较大。 这里分段线性拟合的区间并不连续： （1）电阻箱调节电阻的限制导致电压表示值在分段边界处存在较大间隔无法实现准连续测量； （2）在分段边界处必须除去某些给线性拟合带来很大偏差的数据点，否则会直接影响到拟合效果，如第3段取电压范围为11.201~12.477V，则有以下结果： r=0.99495，u(b)=1mA，u(k)=9×10-5A/V 不确定度增大，线性系数降低。 2、改接原混沌实验仪电路（接入电阻r），记录各种混沌状态时非线性负阻的I-V特性曲线 图7（a） 内置信号扫描法测量非线性负阻的伏安特性曲线 图7（b） 内置信号扫描法测量非线性负阻的伏安特性曲线 如图7所示，这是内置信号扫