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NOR vs. NAND Flash 比较 NOR NAND Program Erase 　厚膜器件 　薄膜器件 SOI MOSFET FD SOI Device。 PD SOI Device。 Bulk PD SOI / body contact PD SOI / body floating FD SOI Drain Current Drain-to-Source Voltage 　各种器件电流电压特性比较 线性区： 饱和区： 亚阈值电压摆幅： 饱和区跨到： （FD） SOI MOSFET 特性分析 　Body Effect １、如图所示NMOS电路中，M1和M2的所有工艺参数完全相同。M1的阈值电压 电源电压VDD. 用电源电压VDD，b表示下列各量： （1）M1的漏源电压 （2）M1的漏源电流 Final Review 　复习的角度１　知识的系统化 　复习的角度２　基本概念 　复习的角度３　比较 　复习的角度４　计算 　晶体结构 SCC BCC FCC Diamond: Silicon Zincblende 密勒指数 (Miller Indices),　用来标志晶面的取向。 （100） {100} （110） {110} （111） {111} 晶格向量 倒格子晶格 (Reciprocal Lattice) 布里渊区 (Brillouin zone) 的构成 在倒格子晶格中任选一个晶格点，并与最近邻的晶格点作连线。 做所有连线的垂直平分线。 围起来的最小的区域就是第一布里渊区。 量子力学的基本概念 　德布罗意波假设 　不相容原理 　不确定性原理 　费米能级和热平衡分布 　具有统一的费米能级是系统处于热平衡状态的标志； 　任何温度下，电子占有与费米能级相等的电子能级的几率总是1/2； 　在绝对零度时，费米能级是电子所能填充的最高电子能级； 　在绝对零度以上，费米能级以下的电子能级的占有几率总是大于1/2，而费米能级以上的电子能级的占有几率总是小于1/2； 　费米能级是处于热平衡系统中电子填充能级水平的标志； 　如果费米能级是温度的函数，那么构成系统的微观粒子数量一定是随着温度变化的； 　费米能级并不总是与某个电子能级相对应；换句话讲，费米能级的位置上并不一定就有电子的能级。 简并半导体与非简并半导体 统计规律－经典的麦克斯韦尔／玻尔兹曼统计 能带论：导电的能带、不导电的能带 　布拉赫波函数 　能带论 　晶格结构决定能带宽度 　晶格数量决定能级密度 　晶格各向异性决定能带往往各向异性 　电子的动量 能带结构实际上就是电子的能量与动量之间的函数关系，通常很难用一个解析函数表达。 　空穴的概念 思考：自由电子的E(k)关系是怎样的？ 　有效质量与能带E~k关系，硅的能带结构 在准自由电子近似下，硅的导带结构 硅的价带结构 　费米势 EC EV EF Ei qfFP 　本征费米能级 Si-SiO2 界面结构示意如图。在这一系统中存在着固定正电荷、Si-SiO2 界面态、氧化层中可动正电荷、和电离陷阱等。 SiO2 Si 热平衡载流子浓度的统计 　本征半导体的费米能级 准电中性条件 　MOS电容及其等效电路 COX CDEP CINV CS CPoly 栅氧化层电容 半导体表面电容 平带电容 　表面势、电场以及空间电荷密度 半导体表面电场强度及其与半导体空间电荷的关系 平带电压 EC EV EF Ei qfFP qcS=4.05eV WS 积累、耗尽、弱反型、强反型区 有效栅偏压 栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度等对MOS电容的影响 　金属-半导体功函数差的影响 　氧化层中电荷的影响，有效栅氧化层电荷 　界面态的影响 　多晶硅栅耗尽层的影响 　定性分析与理解： 表面电荷密度 耗尽层宽度 最大耗尽层宽度 阈值电压 　表面势与外加栅电压的关系 （1）在耗尽区和弱反型区 （2）强反型区 　MOSFET分类 MOSFET 的输出特性、转移特性 线性区特性 饱和区特性 饱和电压 亚阈值区特性、亚阈值电压摆幅 关断电流（off-current）: ID at VGS=0V VDS=VDD，VDD: power supply。 导通（驱动）电流（on-current）: ID at VGS=VDS=VDD 衬底调制效应 跨导 gm 输出电导 gD 线性区输出电导 饱和区输出电导 提高MOSFET振荡频率的途径 LE method测MOSFET的阈值电压 温度对器件参数的影响 对 VTH 的影响 对Ioff的影响 对Ion的影响 对 effective mobility 的影响 衬底电流 Scaling 理论以及器件参数的变化趋势 CLM DIBL GIDL Hot carrie