缺陷分析_1课件.pptVIP

上海学子科技创业有限公司 SH Xuezi Science Technology Entrepreneur Co.,Ltd. 上海华东师范大学信息技术学院 上海市:普陀区中江路879号27栋 205室 邮编：200333 电话:0218 400-820-3051?? 传真:021?? Add:Room205,No.27 of No.879 ZhongJiang Road, Shanghai 200333, P.R.China. Tel: 021/ 400 820 3051 Fax: 021 E-mail:wangz@ lwwang@ 对于晶体硅而言，尽管其为间接带隙半导体，在其带隙附近，在室温下，在一定的电场偏置下，其构成的p-n结或p-i-n结构仍然可以在带隙波段附近发出电致荧光，并且其电致荧光的强度与载流子的扩散长度有关。扩散长度长，则相应的荧光强度就比较高。显然，如果在不同的区域，硅的相关特性有差异，则在荧光图像上表现出不同亮度的特性。而如果在某一区域出现隐形缺陷，则根据其荧光所采集的图像上就应该会显现出来。这正是利用通过电致荧光图像检测，就可以获得硅太阳能电池组件隐形缺陷方面的信息的原理。 摄像系统： 软件配置： 产品结构：