半导体器件 (修复).docxVIP

半导体的特性半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。其电阻率介于导体和绝缘体之间，为10-5~10-8Ωm，如硅、锗、硒及许多金属的氧化物和硫化物等。半导体之所以得到广泛的应用，是因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏性：当受到光照时, 导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。PN结的形成2.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。共价键中的两个电子，称为价电子。如图1所示。图1硅单晶中的共价健结构价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。2.2 杂质半导体在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。（1）N型半导体在纯净的半导体中掺入少量的5价杂质元素（如磷元素），形成电子型半导体，简称N型半导体。在这种半导体中自由电子数将大大多于空穴数。如图2所示。图2 N型半导体（2）P 型半导体在纯净的半导体中掺入少量的3价杂质元素（如硼元素），形成空穴型半导体，简称P型半导体。在这种半导体中空穴数将大大多于自由电子数。如图3所示。图3P型半导体2.3PN结的形成及其特性（1）PN结的形成将一块N型半导体和一块P型半导体连在一起，在其交界处会形成PN结。a）扩散运动：在PN结交界处，载流子浓度大的区域向浓度小的区域扩散。如多数载流子的运动；b）漂移运动：在PN结交界处，载流子在电场力的作用下所做的定向运动。如少数载流子的运动。c）空间电荷区：由于扩散运动和漂移运动的进行，在PN结交界面两侧形成一个由不能移动的正、负离子组成的区域。图4 空间电荷区d）耗尽层：由于空间电荷区缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。e）阻挡层：内电场的作用将阻止多数载流子继续扩散，所以称为阻挡层。f）PN结：由于扩散运动，在P型和N型半导体的交界处会形成内电场，虽然内电场会阻止扩散运动的进行，但是内电场却能加强漂移运动，因此，扩散运动和漂移运动在一定时间内会达到动态平衡状态，空间电荷区的宽度基本稳定下来，这个空间电荷区便称为PN结。（2）PN结的单向导电性PN结的“正偏导通，反偏阻断”称为单向导电性质，这正是PN结构成半导体器件的基础。详细请点击。1）PN 结加正向电压（正向偏置）正向偏置时外加电场与内电场方向相反，内电场被削弱，多子的扩散运动大大超过少子的漂移运动，N区的电子不断扩散到P区，P区的空穴也不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。图5 PN 结加正向电压（正向偏置）2）PN 结加反向电压（反向偏置）反向偏置时内、外电场方向相同，因此内电场增强，致使多子的扩散难以进行，即PN结对反向电压呈高阻特性；反偏时少子的漂移运动虽然被加强，但由于数量极小，反向电流 IR一般情况下可忽略不计，此时称PN结处于截止状态。图6 PN 结加反向电压（反向偏置）半导体二极管3.1 二极管的形成从PN结的P端和N端分别引出两个电极，再加上外封装，就形成了二极管，从P端引出的电极称为阳极或正极，从N端引出的电极称为阴极或负极。常见二极管外形图如图7所示。实物如图8所示。图7 常见二极管外形图（a）玻璃封装（b）塑料封装（c）金属封装大功率二极管图8 二极管实物3.2 二极管的结构（1）点接触型：结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。图9 点接触型（2）面接触型：结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。图10面接触型（3）平面型：用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。图11 平面型3.3 二极管的伏安特性指加在二极管两端的电压与流过二极管的电流之间的关系。外加电压大于死区电压二极管才能导通；外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。图12二极管的伏安特性稳压二极管4.1原理及符号利用二极管的反向击穿特性，可将二极管制成稳压管。稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它和普通二极管一样，实质上也是一个PN结。由于它在电路中与适当数值的电阻配合后能够起到稳定电压的作用。稳压管正常工作时加反向电压；稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。符号如图13所示。图