第六节半导体二极管、三极管.pptVIP

第六章 常用半导体元器件 第一节 半导体二极管 第二节 半导体三极管 1．放大条件 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 结论： （1）三电极电流关系 IE＝ IB＋ IC （2） IC ?? IB， IC≈ IE 即描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线。 为什么要研究特性曲线？ 三极管的特性曲线反映了晶体管的性能，是分析放大电路技术指标的重要依据。 研究特性曲线，能直观地分析管子的工作状态，合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线  （b）电路符号 2. 结构特点： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 三极管的结构特点 常见三极管的外形结构 3. 三极管的外形结构 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 二、 三极管的电流分配与放大作用 电位 关系 VB VE VC VC VB VE 2．电流分配关系： 4.05 3.18 2.36 1.54 0.82 IE/mA 3.95 3.10 2.30 1.50 0.80 IC/mA 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 IB/mA 3.三极管的特性曲线 * * 1. 本课程的性质 2. 特点 3. 研究内容 以器件为基础、以信号为主线，研究各种电子电路的 工作原理、特点及性能指标等。 4. 教学目标 能够对一般性的、常用的电子电路进行分析。 绪　论 是一门职业基础课 ?非纯理论性课程 ?实践性很强 5. 教学要求 重点掌握基本概念、基本电路的分析及计算。 6. 成绩评定标准 作业 、实验 、考勤 40 % 　　 　　　期终考试　　　　　 60 % 7.作业及实验报告要求 （1）整洁 （2）画图要用尺 （3）按时交作业 第一节 半导体二极管 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物体，都是半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 光敏器件、热敏器件 二极管、三极管 一、本征半导体 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 。 硅(锗)的原子结构 简化模型 惯性核 价电子 硅(锗)的原子结构及简化模型 本征半导体结构示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 价电子 1. 本征半导体的共价键结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 （2） 本征半导体 空穴:共价键中的空位。 本征激发：在光和热的作用下，本征半导体中的价电子挣脱共价键的束缚产生电子—空穴对的现象。 T°↑ 结论： 1 .半导体中两种载流子 2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子 —空穴对，且数量少； 3. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 4. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 带负电的自由电子 带正电的空穴 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体:掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体:掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 施主原子 自由电子 电子——多数载流子 空穴——少数载流子 1. N型半导体 　　 简化表示法 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴——多数载流子 电子——少数载流子 2. P型半导体 　　 +3 受主原子 空穴 简化表示法 3.说明： （1）掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数 载流子的浓度。 （3） 杂质半导体总体上保持电中性。 （2）杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b)