微电子_4 2014-微电子器件基础5-8章-要求掌握重点.ppt

非平衡载流子注入 探针注入 小注入、大注入 非平衡载流子浓度 非平衡载流子寿命（少子寿命、寿命） 准费米能级（电子准费米能级、空穴准费米能级） 直接复合 间接复合 表面复合 俄歇复合 最有效复合中心 陷阱效应 载流子扩散 连续性方程 一 概念 第五章 非平衡载流子（非平衡半导体） 最有效复合中心能级示意图 间接复合能带示意图 俄歇复合能带示意图 非平衡半导体能带图 有效陷阱的能带示意图 二 图 三 论述 表面复合对半导体载流子寿命的影响 金在硅半导体中的有效复合中心作用 连续性方程中每一项的物理意义 四 关系式 非平衡半导体价带空穴浓度 非平衡半导体导带电子浓度 净复合率 用准费米能级表示的非平衡半导体载流子浓度， 间接复合净复合率 扩散电流密度 漂移电流密度 空穴电流密度 电子电流密度 半导体总电流密度 爱因斯坦关系式 空穴连续性方程 电子连续性方程 第六章???PN 结 突变结 单边突变结 线性缓变结 结深 扩散结 平衡PN结 PN结空间电荷区 PN结接触电势差 PN结势垒高度 PN结势垒宽度 耗尽层近似 一 概念 12 PN结正偏 13 PN结反偏 14 势垒电容 15 扩散电容 16 PN结雪崩击穿 17 PN结隧道击穿 18 热击穿 19 隧道结 20 隧道二极管峰值电流、峰值电压 21 隧道二极管谷值电流、谷值电压 22 隧道二极管过量电流； 平衡PN结能带图 正向偏压下，PN结能带图 PN结电流-电压关系曲线 突变PN结中电场分布图 隧道二极管电流-电压关系曲线 二 图 三 论述 平衡PN结的形成 平衡PN结的性质 PN结势垒电容是如何形成的？势垒电容与杂质浓度和杂质分布的关系？ PN结扩散电容是如何形成的？ 用能带图说明隧道二极管电流-电压关系的对应机理 雪崩击穿电压的温度特性及解释 突变结泊松方程 突变结空间电荷区宽度、电场强度、最大电场强度、电位求解 突变结势垒电容求解 四 关系式、推导题 第七章 MS接触 半导体功函数 电子亲和能 金属-半导体功函数差 金属-半导体接触电势差 半导体表面空间电荷区 电子阻挡层 电子反阻挡层 表面势垒高度 表面势垒宽度 半导体表面势 一 概念 11 表面态 12 钉扎效应 13 施主型表面态 14 受主型表面态 15 表面中性能级 16 表面态密度 17 理想欧姆接触 18 接触电阻 19 高低结 20 肖特基势垒二极管 金属-半导体接触形成电子阻挡层情况下的能带图 金属-半导体接触形成电子反阻挡层情况下的能带图 正向偏压下，金属/N型半导体接触能带图表示 金属与半导体欧姆接触的基本结构示意图 二 图 三 论述 扩散理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 热电子发射理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 形成金属与半导体欧姆接触的基本原理和手段 肖特基势垒二极管的主要特点 四 关系式、推导 半导体功函数计算 按肖特基功函数模型计算MS接触电势差、势垒高度 MS接触中，电子隧道穿透半导体表面势垒的几率 理想半导体表面 半导体表面态 表面悬挂键 表面能级 表面能带 理想MIS结构 半导体表面电场效应 表面堆积 表面平带 表面耗尽 表面本征 第八章 半导体表面与MIS结构 一 概念 12 表面弱反型 13 表面临界强反型 14 表面强反型 15 表面深耗尽 16 临界强反型 17 半导体表面最大耗尽层宽度 18 反型层 19 费米势 20 场感应结 21 表面空间电荷区、表面空间电荷区宽度 22 表面势 23 表面电场 MIS结构图（包括半导体为P型、N型两种） MIS结构中，半导体表面耗尽状态下的能带图 MIS结构中，半导体表面临界强反型状态下的能带图 MIS结构半导体表面中的泊松方程 耗尽状态下的表面势、耗尽层宽度 临界强反型状态下的表面势、耗尽层宽度 费米势计算式 二 图 三 论述 在MIS结构中，影响半导体表面出现强反型状态的因素分析 四 关系式