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国科会-南台湾奈米科技研究中心核心设施建置计画.doc
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國科會-南台灣奈米科技研究中心核心設施建置計畫
核心設施管理表
設備名稱(中)
低壓化學氣相沉積爐
設備名稱(英)
LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
廠商/設備型號
SJF-1000-T4
設備基本資料
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國科會-南台灣奈米科技研究中心核心設施建置計畫
核心設施管理表
設備名稱(中) 低壓化學氣相沉積爐 設備名稱(英) LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 廠商/設備型號 SJF-1000-T4 設備基本資料 設備簡介(中) 化學氣相沉積(CVD)已經成為較常使用且普遍的材料沉積方式。本設備低壓化學氣相沉積(LPCVD)之反應器為熱牆系統,具有均勻的溫度分布、使對流效應降低、高純度以及一致的覆蓋性之優點,且可以沉積多晶矽、低應力氮化矽和低溫氧化矽。其沉積製程條件為:(1)多晶矽,主要氣體 SiH4、N2;溫度約620℃、壓力約300 mtorr,(2)低應力氮化矽,主要氣體 NH3、DSC、N2;溫度約810℃、壓力約200 mtorr (3)低溫氧化矽,主要氣體 SiH4、O2、N2;溫度約450℃、壓力約200 mtorr。 設備簡介(英) Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) has the advantages of excellent purity and uniformity, conformable step coverage, and large wafer capacity. This equipment can deposite three kinds of materials: polysilicon, low stress nitride and low temperature oxide (LTO). Their process condition are in the following: (1) polysilicon:SiH4, N2 gases, process temperature of 620℃, and pressure of 300 mtorr (2) Nitride: DSC, NH3, N2 gases, process temperature of 810℃, and pressure of 200 mtorr (3) LTO: SiH4, O2, N2 gases, process temperature of 450℃, and pressure of 200 mtorr. 設備照片
國科會-南台灣奈米科技研究中心核心設施建置計畫
核心設施管
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