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下载文档收藏LED灯生产工艺汇总LED灯生产工艺汇总LED灯生产工艺汇总隐藏窗体顶端窗体底端东莞培训网 灯生产工艺汇总 LED 灯生产工艺汇总 §1 LED 制造流程概述 LED 的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。图 2.1 LED 制造流程图上游晶片：单晶棒（砷化镓、磷化镓）长外延层外延片单晶片衬底在衬底上生成品：单晶片、外延片中游制程：金属蒸镀切割成品：芯片光罩腐蚀测试分选热处理（正负电极制作）下游封装：固晶焊线树脂封装切脚测试分选成品：LED 灯珠、LED 贴片和组件东莞培训网 §2 LED 芯片生产工艺 LED 照明能够应用到高亮度领域归功于 LED 芯片生产技术的不断提高，包括单颗晶片的功率和亮度的提高。LED 上游生产技术是 LED 行业的核心技术，目前在该技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED 上游生产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。图 2.2 蓝光外延片微结构正极 P 型 GaN P 型 AlGaN InGaN 量子阱（well） N 型 InGaN 负极 N 型 AlGaN N 型 GaN GaN 缓冲层（buffer）蓝宝石衬底（subatrate） P 型 GaN 生产出高亮度 LED 芯片，一直是世界各国全力投入研制的目标，也是 LED 发的方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光 1W LED 流明值已经达能到 150lm 之高。 LED 上游技术的发展将使 LED 灯具的生产成本越来越低，更显 LED 照明的优势。以下以蓝光 LED 为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作 GaN 基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,以及 GaAs、AlN、ZnO 等材料。 MOCVD 是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的 NH3 在衬底表面进行反应, 将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD 外延炉是制作 LED 外延片最常用的设备东莞培训网 然后是对 LED PN 结的两个电极进行加工，电极加工也是制作 LED 芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对 LED 毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的 LED 芯片了。图 2.3 LED 生产流程基板（衬底）单晶炉、切片机、磨片机等磊晶制程（扩散、溅射、化学气相沉淀）外延炉（MOCVD）磊晶片清洗清洗机蒸镀蒸镀机、电子枪黄光作业烘烤、上光阻、照相曝光、显影化学蚀刻刻蚀机熔合研磨减薄机、清洗机切割切割机探针测试台、颗粒度检测仪测试 §3 大功率 LED 生产工艺东莞培训网 作为 LED 节能灯光源的大功率 LED，它是 LED 节能灯的核心部分。大功率 LED 的生产工艺如何直接影响 LED 的性能，进而影响 LED 灯具的性能，如光衰、光效等。 §3.1 LED 封装工艺流程以大功率 LED 封装产品为例，介绍它的封装制程如下：图 2.4 大功率 LED 封装制晶片扩晶框晶银胶解冻搅拌支架金线荧光粉配胶搅拌抽气 Lens 胶配胶搅拌抽气入库 QA 包装分BIN 固晶固检烘烤推力检查品检测试焊线切脚点胶测试灌胶拉力检查长烤套 Lens 外观 §3.2 大功率 LED 生产工艺东莞培训网 流程站别使用设备及工具作业条件备注固晶 1．储存银胶：0℃一下保存。 2．银胶退冰：室温 4 小时 3．扩晶机温度：50℃±10℃ 1.储存银胶冰箱 4．点银胶高度为晶片厚度的 1/4 2.银胶搅拌机 5．作业时静电环必须做测试记录 3.扩晶机 6．固晶时须使用离子风扇，离子风扇 4.固晶机（如 AD809）正面与晶片距离为 20cm～140cm 5.烤箱之间。 6 离子风扇 7．晶片固于支架杯子正中央，偏移量小于 1/4 晶片宽度，具体参考固晶图。 8．烤银胶条件： 150℃±10℃/2 小时。 1．339EG 焊线机热板温度：150℃± 10℃，焊线方式参固晶焊线图。 2．瓷嘴 42K 更换一次。注：焊线时第二焊点一定要按照固晶焊线图上第二焊点位置(打斜线区域)焊线。焊线 1. 339EG 焊线机 2. 1.2mil 的瓷嘴 3. 大功率打线制具 1.电子称 2.烤箱 3.抽真空机 4.点胶机点胶 1．抽气时间：１个大气压/5mins。 2．荧光胶烘烤条件：120℃±10℃ /2Hrs。荧光胶配比参考实验数据。套盖 1.镊子 1.在套 Lens