第3节 逻辑门电路.pptVIP

数字集成电路可分为单极型电路和双极型电路。 ■单极型电路（即MOS电路）按照器件结构的不同形 式可分为：NMOS、PMOS、CMOS。其中CMOS电路是 占主导地位的逻辑器件。 CMOS的型号： 4000系列、4000B系列、74HC和74HCT 系列、74VHC和 74VHCT系列、74LVC系列、74AUC系列、54系列(军用) ■双极型电路目前常用的是TTL和ECL系列。 TTL的型号： 74系列、74H系列、74L系列、74S系列、74LS系列、 74AS系列、74ALS系列、74F系列 或非门多余输入端的处理方法(a) 接地 (b) 通过R接地 (c) 与使用输入端并联 ②ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压： ①ui=1V时三极管导通，基极电流： 因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA，输出电压： 三极管临界饱和时的基极电流： uo=uCE=VCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V uo=VCC=5V ③ui＝3V时，三极管导通，基极电流： 而 因为iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压： uo＝VCES＝0.3V ①当vO由低向高过渡时，电路由VCC通过Rc对CL充电。 ②当vO由高向低过渡时，CL通过BJT放电。 CL的充、放电过程均需经历一定的时间，这必然会增加输出电压vO波形的上升时间和下降时间，导致基本BJT反相器的开关速度不高。 3.2.2 基本BJT反相器的动态性能 + vI – + vO – Rc Rb CL iRc iC iB iCL VCC T3 (5V) 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1、TTL反相器的工作原理 VI=3.6V 倒放 集通0.7V 发通0.7V 发通0.7V 2.1V 发反偏 饱通 饱通 0.9V 0.2V T4、D截止 集正偏 0.2V 0.2V T3 (5V) 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1、TTL反相器的工作原理 VI=0.2V 深度饱和 发通0.7V 截止 截止 0.9V 3.6V T4、D导通 ic1≈0 VR2≈0 T3 (5V) 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1、TTL反相器的工作原理 3.6V ?0.2V 放大 发正偏 发正偏 发正偏 0.9V 3.6V T4、D导通 1.4V ?截止 导通 ?截止 导通 集反偏 特点： 1、采用输入级提高工作速度。 T3 (5V) 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1、TTL反相器的工作原理 低?高 深度饱和 导通 ?截止 导通 特点： 2、采用推拉式输出级提高工作速度。 高?低 导通 T3 (5V) 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1、TTL反相器的工作原理 低 截止 深度饱和 特点： 3、采用推拉式输出级提高带负载能力。 高 截止 射随器 输出电阻小 集成TTL反相器 2、TTL反相器的传输特性 1、与非门电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 T3、T4组成复合管射随器。 74LS00内含4个2输入与非门。74LS20内含2个4输入与非门。 集成TTL与非门 2、或非门电路 ①A、B中只要有一个为1，即高电平，如A＝1，则iB1就会经过T1集电结流入T2基极，使T2、T5饱和导通，输出为低电平，即Y＝0。 ②A＝B＝0时，iB1、iB1分别流入T1、T1发射极，使T2、T2、T5均截止，T3、T4导通，输出为高电平，即Y＝1。 ①A和B都为高电平（T2导通）、或C和D都为高电平(T2导通)时，T5饱和导通，T3、T4组成的达林顿管截止，输出Y=0。 ②A和B不全为高电平、并且C和D也不全为高电平（T2和T2同时截止）时，T5截止， T3 、T4组成的达林顿管饱和导通，输出Y=1。 3、TTL与或非门 与门 Y=AB=AB Y=A+B=A+B 异或门 或门 问题的提出： 为解决一般TTL与非门不能线与而设计的。 ①A、B不全为0.9V时，uB1=1V，T2、T3截止，Y=1。 接入外接电阻R后： ②A、B全为1时，uB1=2.1V，T2、T3饱和导通，Y=0。 外接电阻R的取值范围为 OC门 ≤R≤ 3.2.5 集电极开路门和三态门电路 ？ A B Y +5V T 1 T 2 D 3 T 4 T 3 R 1 R 2 R 3 R 4 4k 1.6k 130 W 1k C D Y +5V T 1 T 2 D 3 T 4 T 3 R 1 R 2 R 3 R 4 4k 1.6k 130 W 1k TTL与非门能