第三篇_光生伏特器件.ppt

第3章 光生伏特器件 3、色敏光生伏特器件 五、特殊光电二极管 （1）双色硅色敏器件的工作原理 当光照射时，紫外光部分吸收系数大，经过很短距离就被吸收完毕；因此，浅结对紫外光有较高灵敏度。而红外光部分吸收系数小，光子主要在深结处被吸收；因此，深结对红外光有较高的灵敏度。 3、色敏光生伏特器件 五、特殊光电二极管 （1）双色硅色敏器件的工作原理 用双结光电二极管测量颜色时，通常测量两个光电二极管的短路电流比（ISC2/ ISC1）与入射波长的关系，每一种波长的光都对应于一个短路电流比值，根据短路电流比值判别入射光的波长，达到识别颜色的目的。 3、色敏光生伏特器件 五、特殊光电二极管 （2）三色硅色敏器件 它是在一块非晶硅基片上制作3个检测元件，并分别配上R、G、B滤色片，通过R、G、B输出电流的比较，即可识别物体的颜色。 3、色敏光生伏特器件 五、特殊光电二极管 （2）三色硅色敏器件 六、光生伏特器件组合件 光生伏特器件组合件是在一块硅片上制造出按一定方式排列的具有相同光电特性的光生伏特器件阵列。一般用于准直、定位、跟踪等方面。根据排列方式的不同，光生伏特器件组合件可分为象限式、阵列式、楔环式和按指定编码规则组成的阵列方式。 1、象限阵列光生伏特器件组合件 六、光生伏特器件组合件 象限式光生伏特器件组合件可以用来确定光点在二维平面上的位置坐标。 1、象限阵列光生伏特器件组合件 六、光生伏特器件组合件 1、象限阵列光生伏特器件组合件 六、光生伏特器件组合件 六、光生伏特器件组合件 2、线阵列光生伏特器件组合件 2、线阵列光生伏特器件组合件 六、光生伏特器件组合件 3、楔环阵列组合件 六、光生伏特器件组合件 1、PSD的工作原理和位置表达式 七、光电位置敏感器件（PSD） PSD（Position Sensing Detector）是一种对入射到光敏面上的光点位置敏感的光电器件，其输出信号与光点在光敏面上的位置有关。 PSD与象限探测器相比，其特点是：（1）它对光斑的形状无严格要求，即输出信号与光的聚焦无关，只与光的能量中心位置有关，这给测量带来很多方便； （2）光敏面上无须分割，消除了盲区 可连续测量光斑位置，位置分辨率高； （3）可同时检测位置和光强。 1、PSD的工作原理和位置表达式 七、光电位置敏感器件（PSD） I0= I1+I2 2、一维PSD器件 七、光电位置敏感器件（PSD） 一维PSD器件主要用来测量光斑在一维方向上的位置或位置移动量的装置。 3、二维PSD器件 七、光电位置敏感器件（PSD） 3、二维PSD器件 七、光电位置敏感器件（PSD） 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （1）图解计算法 400lx 600lx 800lx 1000lx U（V） 0 20 40 60 -10 -20 -30 光电二极管伏安特性曲线 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算 八、光生伏特器件的偏置电路 （1）图解计算法 在如图所示的反向偏压下硅光电二极管的基本输入电路中，流过负载电阻的电流为： 由于制造光电管的半导体材料一般都采用高阻轻掺杂，因此暗电流很小，可以忽略不计 即输出电流与输入光照度（或光通量）成正比。 用不同波长的光照射光电二极管时，电流灵敏度与波长的关系曲线称为光谱响应。 3、光电二极管的特性参数 三、硅光电二极管 （2）光谱响应 典型硅光电二极管光谱响应长波限为1.1μm左右，短波限0.4μm，峰值响应波长为0.9μm左右。 光电二极管的时间响应（频率响应）主要由载流子的渡越时间和RC时间常数决定。 3、光电二极管的特性参数 三、硅光电二极管 （3）时间响应 （1）载流子的渡越时间 ①漂移时间：在p-n结区内光生载流子渡越结区的时间 ②扩散时间：在p-n结外产生的光生载流子扩散到结区内所需要的时间 。 影响光电二极管时间响应的主要因素是扩散时间，为了减少扩散时间，如何扩展p-n结的结区？ 3、光电二极管的特性参数 三、硅光电二极管 （3）时间响应 （1）增大反向偏压，使RC时间常数增大； （2）从p-n结的结构设计方面考虑，在不使偏压增大的情况下，使耗尽层扩展到整个p-n结器件。 3、光电二极管的特性参数 三、硅光电二极管 （4）噪声 光电二极管的噪声包含低频噪声Inf、散粒噪声Ins和热噪声InT等3种噪声。其中，散粒噪声是光电二极管的主要噪声，低频噪声和热噪声为其次要因素。 光电二极管的电流应包括暗电流Id、信号电流Is和背景辐射引起的背景光电流