第5节_光电式传感器.ppt

第五章 光电式传感器 5.0 前言 5.1 光电效应 5.2 光电元件 5.3 光电传感器的应用 5.0 前 言 光电传感器是利用光敏元件的光电效应将光信号转换为可测电信号的装置。光电传感器的这种测量方法具有结构简单、非接触、高可靠、高精度和反应速度快等特点。 光电传感器是目前产量最多、应用最广的一种传感器，它在自动控制和非电量测试中占有非常重要的地位。 5.1 光电效应 自然界的一切物质在环境温度高于0K以上时，都会产生电磁波辐射，其中光是波长约在10～0.01μm之间的电磁辐射，其光谱如图所示。 外光电效应 在光线作用下，电子获得光子的能量从而脱离正电荷的束缚，使电子逸出物体表面，这种效应称为外光电效应，这种现象称为光电发射。已知每个光子具有的能量为： 式中， h =6.626×10-34 J?s—普朗克常数 ； γ—光的频率。 当物体在光线照射作用下，一个电子吸收了一个光子的能量后，其中的一部分能量消耗于电子由物体内逸出表面时所作的逸出功，另一部分则转化为逸出电子的动能。根据能量守恒定律，可得 此即为著名的爱因斯坦光电方程式，它阐明了光电效应的基本规律。由上式可知： （1）电子能否逸出物体表面取决于光子具有的能量是否大于逸出功，而能量只与光的频率有关。因此电子能否逸出物体表面取决于光的频率，与光强无关，低于阈值频率，光强再大也不会产生光电发射。 （2）如果产生了光电发射，在入射光频率不变的情况下，逸出的电子数目与光强成正比。光强愈强意味着入射的光子数目愈多，受轰击逸出的电子数目也愈多。 基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等。 内光电效应 物体受光照射后，其原子的外层电子脱离原子核的束缚成为自由电子，这些自由电子仍留在物体内部，但会使物体的电阻率发生变化或产生光电动势。这种现象称为内光电效应。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。 1．光电导效应 在光线的作用下，半导体的电导率增加，这种现象称为光电导效应。从半导体物理学可知，半导体材料导电能力的大小取决于半导体内载流子的数目，载流子数目愈多，导电愈容易，即半导体材料的电导率愈大。 具有光电导效应的材料称为光导体，除金属外，大多数半导体和绝缘体都具有光电导效应，但都很小。实际上只有少数几种材料能制造光敏元件。 基于光电导效应的光电元件有光敏电阻，光电二极管以及光电晶体管。 5.2 光电元件 5.2.1 光电管 1. 光电管的结构及工作原理 光电管有真空光电管和充气光电管两类，二者结构相似，它们由一个涂有光电材料的阴极K和一个阳极A封装在玻璃壳内，如图所示。 当入射光照射在阴极上时，阴极就会发射电子，而阳极负责收集由阴极发射出来的电子。 2. 光电管的主要性能指标 光电管的性能指标主要有伏安特性、光照特性、光谱特性、响应特性、响应时间、峰值探测率和温度特性等。下面仅对伏安特性和光照特性作简单介绍。 （1）光电管的伏安特性 光电管的伏安特性是指在一定的光通量照射下，其阳极与阴极之间的电压UA与光电流I之间的关系。 当阳极电压较小时，阴极发射的光电子只有一部分被阳极收集，其余部分仍返回阴极。随着阳极电压的升高，阳极在单位时间内收集到的光电子数目增多，光电流I也增加。 如果阳极电压升高到一定数值时，阴极在单位时间内发射的光电子全部被阳极收集，这种状态称为饱和状态。当达到饱和时，阳极电压再升高，光电流I也不会增加。 对于充气光电管，光电子在趋向样机的途中将撞击惰性气体的原子并使其电离，从而使回路电流急速增加，提高了光电管的灵敏度。但其缺点是稳定性和频率特性都较差。 （2）光电管的光照特性 光照特性是指光电管阳极电压和入射光频谱不变的条件下，入射光的光通量与光电流之间的关系。 在光电管阳极电压足够大，使光电管工作在饱和电流状态条件下，入射光通量和光电流呈线性关系。光照特性曲线的斜率，即光电流对入射光通量的变化率称为光电管的灵敏度。 5.2.2 光电倍增管