第10篇 常用半导体器件.ppt

2. 输出特性曲线（图5-14） （1）截止区 发射结零偏或反偏，集电结也反向偏置。 （2）放大区 发射结正向偏置，集电结反向偏置。 与 成正比关系。 （3） 饱和区 发射结和集电结均处于正向偏置。晶体管失去放大作用， 处于“饱和”状态。 称为晶体管的饱和压降，此值很小，约为0.3V。 （4）击穿区 当 大于某一值后， 开始剧 增，这个现象称为一次击穿。一次击穿过程是可逆的。 晶体管具有“开关”和“放大”功能。 图5-14 输出特性曲线 四、晶体管的主要参数 1．电流放大倍数 （1）共发射极直流电流放大倍数 静态时 与 的比值称为共发射极静态电流放大倍数，即直流电流放大倍数 （5-2） （2）共发射极交流电流放大倍数 （ ） 动态时，Δ 与 的比值称为动态电流放大倍数，即交流电流放大倍数 （5-3） 估算时， 。 2．极间反向电流 （1）集电极—基极反向饱和电流 是晶体管的发射极开路时，集电极和基极间的反向漏电流，又叫反向饱和电流，小功率硅管的 小于1μA，锗管的 约10μA。 的测量电路如图5-15a所示。 （2）穿透电流 为基极开路时，由集电区穿过基区流入发射区的穿透电流，它是 的（1+ ）倍，即 （5-4） 而集电极电流 为 （5-5） 的测量电路如图5-15b所示。 图5-15 极间反向电流的测量电路 的测量电路 的测量电路 3．极限参数 （1）集电极最大允许电流 当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流，称为 。使用时， 超过 时晶体管并不一定会损坏，但 值将降低。 （2）集电极－发射极反向击穿电压 指基极开路时，加于集电极与发射极间的反向击穿电压，一般为几十伏至几百伏以上。 （3）发射极－基极反向击穿电压 指集电极开路时，允许加在发射极－基极之间的最高反向电压，一般为几伏至几十伏。 （4）集电极最大允许功耗 使用中应使 允许管耗线，如图5-16所示。 图5-16 晶体管的安全工作区 第五节 晶闸管 晶闸管原称可控硅。它是一种较理想的大功率变流器件。 一、晶闸管的结构和工作原理 1．晶闸管的结构 大功率晶闸管的外形结构有螺栓式和平板式两种，晶闸管的外形和图形符号如图5-24所示。 三个电极：阳极A，阴极K和门极G。 四层（P1N1P2N2）三端（A、K、G）元件。 等效电路1：三个PN结串联等效，如图5-25b所示。 等效电路2：晶体管互补电路等效，如图5-25c所示。 三个PN结： 。如图5-25所示。 图5-24 晶闸管的外型和符号 塑封式 螺栓式 平板式 图5-25 晶闸管的内部芯片及等效电路 芯片原理结构 PN结等效电路 互补晶体管等效电路 2．晶闸管的导通与关断条件 实验电路如5-26所示 a) 图5-26 晶闸管的导通实验 阳极接电源正极，门极开路，灯不亮 b） 图5-26 晶闸管的导通实验 阳极接电源正极，门极接正电压，灯亮 c） 图5-26 晶闸管的导通实验 导通后断开门极，灯仍亮 实验总结： 1）不加门极电压，即使阳极加正电压 ，管子也不能导通。 2）只有在阳极加正电压，同时门极也加正电压，管子才导通。 3）一旦晶闸管导通，门极将失去作用。 结论： 晶闸管的导通条件：阳极加正电压，同时门极也加正电压。 晶闸管的关断条件是：正向阳极电压降低到一定值（或者在晶闸管阳、阴极间施加反向电压）使流过晶闸管的电流小于维持电流。 3．晶闸管的工作原理 瞬时使互补晶体管达到饱和导通，即晶闸管由正向阻