用单片机现的简单测温电路.docVIP

用单片机实现的测温电路设计 利用单片机实现极简单的测温电路单片机在电子产品中的应用已经越来越广泛，在很多的电子产品中也用到了温度检测和温度控制，但那些温度检测与控制电路通常较复杂，成本也高，本文提供了一种低成本的利用单片机多余I／O口实现的温度检测电路，该电路非常简单，且易于实现，并且适用于几乎所有类型的单片机。其电路如下图所示：图中：P1.0、P1.1和P1.2是单片机的3个I／O脚；RK为100k的精密电阻；RT为100K－精度为1％的热敏电阻；R1为 利用单片机实现极简单的测温电路单片机在电子产品中的应用已经越来越广泛，在很多的电子产品中也用到了温度检测和温度控制，但那些温度检测与控制电路通常较复杂，成本也高，本文提供了一种低成本的利用单片机多余I／O口实现的温度检测电路，该电路非常简单，且易于实现，并且适用于几乎所有类型的单片机。其电路如下图所示：图中：P1.0、P1.1和P1.2是单片机的3个I／O脚；RK为100k的精密电阻；RT为100K－精度为1％的热敏电阻；R1为100Ω的普通电阻；C1为0.1mu;的瓷介电容。其工作原理为：1.先将P1.0、P1.1、P1.2都设为低电平输出，使C1放电至放完。2.将P1.1、P1.2设置为输入状态，P1.0设为高电平输出，通过RK电阻对C1充电，单片机内部计时器清零并开始计时，检测P1.2口状态，当P1.2口检测为高电平时，即C1上的电压达到单片机高电平输入的门嵌电压时，单片机计时器记录下从开始充电到P1.2口转变为高电平的时间T1。3.将P1.0、P1.1、P1.2都设为低电平输出，使C1放电至放完。4.再将P1.0、P1.2设置为输入状态，P1.1设为高电平输出，通过RT电阻对C1充电，单片机内部计时器清零并开始计时，检测P1.2口状态，当P1.2口检测为高电平时，单片机计时器记录下从开始充电到P1.2口转变为高电平的时间T2。5.从电容的电压公式：可以得到：T1／RK＝T2／RT，即 RT＝T2×RK／T1通过单片机计算得到热敏电阻RT的阻值。并通过查表法可以得到温度值。从上面所述可以看出，该测温电路的误差来源于这几个方面：单片机的定时器精度，RK电阻的精度，热敏电阻RT的精度，而与单片机的输出电压值、门嵌电压值、电容精度无关。因此，适当选取热敏电阻和精密电阻的精度，单片机的工作频率够高，就可以得到较好的测温精度。当单片机选用4M工作频率，RK、RT均为1％精度的电阻时，温度误差可以做到小于1℃。如果P1.2具有外部上升沿中断的功能，程序可以更简单，效果更好。单片机工作的程序流程图如下： 1、型号说 MF 52 103 H 3435 F A NTC热敏电阻 环氧系列 电阻值 阻值允差 B值 B值允差 B值类别 10KΩ ±5% 3435K ±1% B25/50 2、电气性能 序号 项目 符号 测试条件 最小值 正常值 最大值 单位 3-1. 25℃的电阻值 R25 Ta=25±0.05℃ PT≦0.1mw 9.9 10.0 10.1 kΩ 3-2. 50℃的电阻值 R50 Ta=50±0.05℃ PT≦0.1mw / 4.0650 / kΩ 3-3. B值 B25/50 3436 3435 3504 K 3-4. 耗散系数 σ Ta=25±0.5℃ 2.0 / / mw/℃ 3-5. 时间常数 τ Ta=25±0.5℃ / / 15 sec 3-6. 绝缘电阻 / 500VDC 50 / / MΩ 3-7. 使用温度范围 / / -55 / +125 ℃ 3、机械试验 项目 技术要求 测试条件及方法 4-1.可焊性 引出端焊料自由流动和浸润良好，上锡面积95%以上 将引出端沾助焊剂后，浸入温度为230±5℃锡槽中，锡面距NTC本体下端2-2.5mm处，持续2±0.5S (参照IEC60068-2-20试验Ta/GB2423.28 Ta) 4-2.耐焊接热 无可见性损伤 ΔR/R25≤±2% 将引出端浸入温度为260±5℃锡槽中，锡面距NTC本体下端5mm处持续5±1S (参照IEC60068-2-20试验Tb/GB2423.28 Tb) 4-3.引出端强度 无脱落 ΔR/R25≤2% 试验Ua：拉力5N，持续10S； (参照IEC60068-2-21 / GB2423.29 U试验) 4、可靠性试验 序号 项目 技术要求 测试条件及方法 5-1. 高温试验 ΔR/R25≤±2% 125±5℃，通电1000±24h，DC0.2mA （参照IEC60068-2-2/GB