电磁场和电磁波基础(第3章).pptVIP

作业 3.1 3.4 3.7 3.9 3.18 2.12 在柱形闭合面上应用高斯定律： 则 此式即为 的法向边界条件，它表明： 的法向分量在分界面处产生了突变 （2） 的边界条件 如图，应用高斯定律得： 当 时， 的法向分量变为连续 （2） 的边界条件 如图，应用高斯定律得： n h 即 此式即为 的法向边界条件，它表明： 的法向分量在分界面处总是连续的。 （3） 的边界条件 如图，由电流连续性原理 可得 说明：当分界面处电荷面密度发生变化时，其电流密度的法向分量产生突变，突变量为电荷面密度的变化率。 （4） 的边界条件 如图，电场强度的边界条件通常用电场的切向分量来表示。 可得 说明：电场强度的切向分量是连续的。 由麦克斯韦第二个方程： （5） 的边界条件 可得 说明：当分界面处存在传导电流时，磁场强度的切向方向将发生突变；当分界面处不存在传导电流时，磁场强度的切向方向是连续的。 如图，由安培环路定律 综上所述，五个场量 的边界条件是： 在研究电磁场问题时，下述分界面的讨论经常出现： （1）两种无损耗线性介质的分界面，也就是两种理想介质的分界面 这时有 这说明：理想介质中不可能有传导电流。 2、几种特殊介质的边界条件 理想介质属无损耗介质，其电导率 对于无源的情况，因为 所以有 这说明：在无源空间，理想介质分界面上，各场量连续。 （2）理想介质和理想导体的界面 理想介质的电导率 理想导体的电导率 可知：理想导体内部不存在电场。 根据 这时有 这说明：对于时变电磁场中的理想导体，电场总是与导体表面相垂直；而磁场总是与导体表面相切；导体内部既没有电场，也没有磁场。 （3）静态电磁场的边界条件 静态电磁场是时变电磁场的特殊情况，在静态场中，场量不随时间发生变化，从上面所得到的结论中可得，静态电磁场的边界条件为 解： （1）取如图所示的坐标。由 得 （2）导体表面电流存在于两导体相向的面 例 在两导体平板（z=0和z=d）之间的空气中传播的电磁波，已知其电场强度为 式中kx常数。 试求：（1）磁场强度 ；（2）两导体表面上的面电流密度 。 例 已知内截面为a ? b 的矩形金属波导中的时变电磁场的各分量为 其坐标如图示。试求波导中的位移电流分布和波导内壁上的电荷及电流分布。波导内部为真空。 a z y x b x z y x y z ?g b a 磁场线 电场线 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? * * 第3章 介质中的麦克斯韦方程 本章将讨论一般介质中的麦克斯韦方程，这首先需要了解介质的电与磁的性能以及一些简单概念。 通过分析发现，如果引入极化矢量 和磁化矢量 ，就可以很方便地来描述普通介质中麦克斯韦方程的一般形式。本章还将引入介质中相对介电常数的定义,而且会看到与介质折射率n之间存在着直接的联系。 1. 极化概念、电偶极矩 、分子极化率 、极化矢量 4. 一般媒质中的麦克斯韦方程 重点： 3. 磁化概念、磁偶极矩、磁化强度矢量 2. 介质的折射率、相对介电系数 5. 介质中的三个物态方程 6. 场量的边界条件 假设电场中分子内部的电荷q在电场的作用下从它的平衡位置移动了一段距离x，如果被移动的电荷质量为m，其受到的恢复力与位移成正比，那么电荷的受力方程可以表示为 3.1 分子模型 式中： 为阻尼力， 为恢复力 ， 为加速度。 在时谐电场中 因此有 则电荷位移 式中 虚部与 有关，这表明我们所讨论模型的衰减使得位移与电场力不同相。 定义：分子内的电偶极矩 并且 若引入分子极化率 则电偶极矩为 是反映分子固有特性的一个函数，同时也是所施加场强 的角频率 的函数。对于单个分子来说，上述各种关系式就是我们对介质进行微观描述的基础知识。 3.2 电介质及其极化 1. 极化的概念 一般来讲电介质可分为两大类：一类是无极分子电介质，当没有外电场作用时，这类电介质中正负电荷的中心是重合的，处于电中性状态，对外不显电性，如Ｈ2、Ｎ2等气体物质。第二类是有极分子电介质，当没有外电场作用时，这类电介质中的正负电荷中心不重合，每个分子可等效为一个电偶极子，但由于分子的无规则热运动，使得电偶极子的分布排列是无规则的。因此，整体仍呈电中性，对外也不显电性。 电介质 束缚电荷（bound charge） 不能离