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实验4 磁控溅射法制备薄膜材料 实验目的 1. 掌握真空的获得 2. 掌握磁控溅射法的基本原理与使用方法 3. 掌握利用磁控溅射法制备薄膜材料的方法 二、实验原理 磁控溅射属于辉光放电范畴，利用阴极溅射原理进行镀膜。膜层粒子来源于辉光放电中，氩离子对阴极靶材产生的阴极溅射作用。氩离子将靶材原子溅射下来后，沉积到元件表面形成所需膜层。磁控原理就是采用正交电磁场的特殊分布控制电场中的电子运动轨迹，使得电子在正交电磁场中变成了摆线运动，因而大大增加了与气体分子碰撞的几率。 用高能粒子(大多数是由电场加速的气体正离子)撞击固体表面(靶)，使固体原子(分子)从表面射出的现象称为溅射。 1. 辉光放电： 辉光放电是在稀薄气体中，两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。溅射镀膜基于荷能离子轰击靶材时的溅射效应，而整个溅射过程都是建立在辉光放电的基础之上的，即溅射离子都来源于气体放电。不同的溅射技术所采用的辉光放电方式有所不同，直流二极溅射利用的是直流辉光放电，磁控溅射是利用环状磁场控制下的辉光放电。 如图1（a）3）实验步骤 用酒精清洗衬底玻璃基板、靶材，清洗完毕后用吹干。 实验前仔细检查各开关的状态，接通电源。电源接通后打开水循环开关，关闭真空计，打开放气阀，待放气完毕打开腔室门放置基片，注意装载过程中确保玻璃面的整洁。置入内衬，关闭充气阀门。 一键抽真空。 待分子泵满转速时设置好靶基距和基片加热温度，打开基片加热。 5待抽至需要的真空打开限流阀，到 90°处，设置基片台转速，打开基片台旋。 设置流量计的示数，至工作真空度 7.等待 30s 左右，设置直流或射频电源的功率和工作时间，点击 ON 按钮开始溅射（镀膜前一定要确定挡板是关闭的）待溅射一段时间后，打开挡板，开始镀膜，镀膜时间到后电源自动关闭 8.设置流量计示数为 0，关闭加热 9.待流量计实际流量归 0 10.镀膜结束一键停真空 11.待机械泵等均停机，关闭真空计、打开放气阀。待放气完毕，打开腔室门取样品，打开真空计，关闭放气阀。打开一键抽真空，待真空抽至 10 多 Pa 时点击一键停真空，待设备停机后再关闭总电源 五、注意事项 1. 抽真空前检查： 1）样品是否放好 2）腔室门是否关好 3）放气阀是否关闭 4）真空计是否打开 2.注意对设备的保养维护，及时去除基片台及基片挡板，靶屏蔽罩及靶挡板上沉积的各种材料，防止掉渣使靶与屏蔽罩短接烧坏靶。方法是将把挡板卸下用绿色拉丝布擦拭附着物后用卫生纸蘸丙酮或酒精擦干净，对基片台如不拆下的话用报纸垫在腔室口上防止擦拭时脏东西掉入腔室。 3.磁控溅射室暴露大气前一定要关紧限流阀，以免损坏分子泵，同时要关紧气路截止阀，以免气路受污染。 4.磁控靶、分子泵工作时，一定要通水冷却。 5.在取出或更换样品和靶材时，要注意真空室的清洁，同时要保证屏蔽罩与靶材之间的距离小于3 mm，但是不能太近要避免短路。 6.气体用完需要更换时，换钢瓶后要清洗气路，质量流量计要开至清洗档。 六、实验数据 4 5