少子寿命及电阻率测试器.docVIP

无接触少子寿命测试仪HS-MWR-SIM 合能阳光无接触少子寿命测试仪(HS-MWR-SIM)，是一款功能强大的无接触少子寿命测试仪，能够对单晶硅棒、多晶硅块及硅片提供快速、无接触、无损伤单点少子寿命测试，其通过微波光电衰退特性原理来测量非平衡载流子寿命的，并且单晶硅棒、多晶硅块无须进行特殊处理。少子寿命测试量程从0.5μs到300μs,P型电阻率量程为0.8-100Ω.cm,N型电阻率量程为0.5-100Ω.cm，是太阳能电池硅片企业、多晶铸锭企业、拉晶企业不可多得的测量仪器。无接触少子寿命测试仪-产品特点■ 无接触和无损伤测量■ 可移动扫描头，便于测量■ 测试范围广：包括硅块、硅棒、硅片等少子寿命测量■ 主要应用于硅棒硅块、硅片的进厂、出厂检查，生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等■ 性价比高，极大程度地降低了企业的测试成本? ■ 质保期：1年无接触少子寿命测试仪-推荐工作条件■ 温度：15-30℃■ 湿度：10%~80%■ 大气压：750±30毫米汞柱无接触少子寿命测试仪-技术指标■ 少子寿命测试范围:0.5μs-300μs■ 测试尺寸:尺寸不限■ 测试时间：1-30s(具体和信号质量及测试精度有关)■ 电阻率范围：P型：0.8Ω.cm-100Ω.cm（范围之外可测量，但将有一定测试偏差）????????????? Ｎ型：0.5Ω.cm-100Ω.cm（范围之外可测量，但将有一定测试偏差）■ 激光波长：980±30nm,测试功率范围：50-500mw,脉冲宽度调节范围：0.5-60μs■ 工作频率： 10GHz±0.5■ 仪器测试精度：±3.5％■ 电源：～220V 50Hz 功耗＜30W■ 微波测试单元功率：0.01W±10%■ 扫描头尺寸：290mm *200mm *65mm, 电器控制单元: 210mm*220mm*60mm■ 扫描头重量：3KG，电器控制单元：1kg无接触少子寿命测试仪-典型用户河北，江西，江苏，浙江，新疆等地拉晶铸锭客 少子寿命测试仪 合能阳光少子寿命测试仪(HS-CLT)，是一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)???测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。少子寿命测试仪-产品特点■ 测试范围广：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。■ 主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查，生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等。■ 适用于低阻硅料少子寿命的测量，电阻率测量范围可达ρ＞0.1Ω?cm（可扩展至0.01Ω?cm），完全解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。■ 全程监控动态测试过程，避免了微波光电导（u-PCD）无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。■ 贯穿深度大，达500微米，相比微波光电导的30微米的贯穿深度，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。? ■ 专业定制样品架最大程度地满足了原生多晶硅料生产企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求，包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。■ 性价比高，价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品，极大程度地降低了企业的测试成本。少子寿命测试仪-推荐工作条件■ 温度：23±2℃■ 湿度：60%~70%■ 无强磁场、不与高频设备邻近少子寿命测试仪-技术指标■ 测试材料：硅半导体材料 - 硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片等，锗半导体材料。■ 少子寿命测试范围 :1μs-6000μs■ 可测低阻硅料下限： 0.1Ω.cm, 可扩展到 0.01Ω.cm■ 激光波长： 1.07μm■ 激光在单晶硅中的贯穿深度： 500μm■ 工作频率： 30MHz■ 低输出阻抗，输出功率＞ 1W■ 电源：～220V 50Hz 功耗＜50W少子寿命测试仪-典型用户北京，浙江，四川，河北，河南等地的硅料生产企业及半导体光伏拉晶客户 ?3. 最新款无接触少子寿命扫描仪 品介绍:MWR-2S-3I是一款功能异常强大的无接触少子寿命扫描测试仪，能够对单晶硅棒、多晶硅块及硅片提供快速、无接触、无损伤、高分辨率的多功能扫描测试。一方面，其通过微波光电衰退特性原理来测量非平衡载流子寿命的；另一方面，通过近红外对硅材料的光学特性，探测缺陷。并且单晶硅棒、多晶硅