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放大电路特性比较 类型 静态分析 动态分析 直流通路 静态值 微变等效电路 动态值 共 发 射 极 固定偏置 放大电 路 类型 静态分析 动态分析 直流通路 静态值 微变等效电路 动态值 共发射极分压式偏置放大电路 , , , 类型 静态分析 动态分析 直流通路 静态值 微变等效电路 动态值 共集电极 放大电 路 , 运算放大器 传输特性 特点 应用 备注 线性区 虚短： 虚断： 信号运算方面： 同相比例放大电路 反相比例放大电路 微分电路 积分电路 线性范围小，需引入负反馈闭环， 可提高系统稳定性和加大线性范围。 饱和区 （非线性区） 当 uP uN时，uO = + UOM 当 uP u?时, uO = ? UOM 虚断： 信号处理方面： 电压比较器 开环 理想运算放大器特点 开环电压增益高； 输入电阻大； 输出电阻小； 共模抑制比高 传输特性 特点 应用 备注 线性区 虚短： 虚断： 信号运算方面： 同相比例放大电路 反相比例放大电路 微分电路 积分电路 线性范围小，需引入负反馈闭环， 可提高系统稳定性和加大线性范围。 饱和区 （非线性区） 当时， 当时, 虚断： 信号处理方面： 电压比较器 开环 理想运算放大器特点 开环电压增益高； 输入电阻大； 输出电阻小； 共模抑制比高 集成运放在运算方面的应用 类型 典型电路 输入电压与输出电压关系 特点 备注 同 相 比 例 （1）输入信号从同相端引入 （2）闭环电压放大倍数 （3）输入电压与输出电压同相 （4） （5）输入电阻 （6）输出电阻 （1）虚短： 虚断： （2）若或， ，，称为电压跟随器。 反 相 比 例 （1）输入信号从反相端引入 （2）闭环电压放大倍数 （3）输入电压与输出电压反相 （4）输入电阻 （5）输出电阻 （1）虚地： 虚断： （2）若，，称为反相器。 微 分 微分时间常数 比 例 微 分 微分时间常数 比例系数 （1）组成PD调节器 （2）可看成反相比例放大电路和微分电路的叠加。（用叠加原理） （3）调节系统的响应速度和工作稳定性。 积 分 积分时间常数 比 例 积 分 积分时间常数 比例系数 （1）组成PI调节器 （2）可看成反相比例放大电路和积分电路的叠加。（用叠加原理） （3）调整系统稳定性和控制精度。 同相输入和反向输入放大电路的应用 常见类型 电路 输出表达式 求解思路 求 差 电 路 若，则 解法一： 虚短 虚断 以及KAL或KVL 解法二： 叠加原理：运用叠加原理把电路分解成多个同相或反相放大电路。 （1）每次让一个输入电压单独作用，其余的输入电压都为零，把电路化成同相或反相放大电路，直接用公式求出分电压； （2）最后把所有的分电压相加就是所求的最后的输出电压。 求 和 电 路 若，则 仪 用 放 大 器 则 半导体导电特性 类型 特性 导电本质 备注 本征半导体 （1）完全纯净的、晶格完整的半导体 （2）在绝对零度（0K）时是良好的绝缘体 （3）在热激发（本征激发）下，热运动加剧，载流子数量增加。 载流子（自由电子和空穴） 自由电子和空穴成对产生，又不断复合，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子维持一定的数量。 （1）载流子数量少，导电性能较差 （2）温度越高，载流子数量越多，导电性能越好，温度对半导体影响大。 杂质半导体 P型半导体 （1）在硅或锗晶体中掺入五价元素 （2）多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴 （3）主要导电方式：自由电子导电 （1）导电性能好，与温度、光照或掺杂浓度有关。 （2）多子数量取决于掺杂的浓度 （3）少子数量取决于温度或光照 （4）不论是N型半导体还是P型半导体，整个晶体不带电性。 N型半导体 （1）在硅或锗晶体中掺入三价元素 （2）多数载流子（多子）：空穴 少数载流子（少子）：自由电子 （3）主要导电方式：空穴导电 PN结特性 （1）在P型半导体或N型半导体的交界面形成一特殊的薄层，称为PN结； （2）单向导电性： 电源（+）接P，电源（—）接N，正向偏置电压，较大正向电流，低电阻，PN结处于导通状态； 电源（+）接N，电源（—）接P，反向偏置电压，较小反向电流，高电阻，PN结处于截止状态。 （3）PN结具有一定的电容效应，由两方面的因素决定：