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* * 计 算 机 电 路 基 础 第六章 门电路 第6章 门电路 6.1 概 述 6.2 分立元件门电路 6.3 CMOS集成门电路 6.4 TTL集成门电路 退出 获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。 逻辑0和1: 电子电路中用高、低电平来表示。 预备知识: 半导体器件的开关特性 1、二极管的开关特性 逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。 基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、与非门、或非门、与或非门和异或门等。 二极管符号: 正极 负极 + uD - 1、概述 uo uo ui=0V时,二极管截止,如同开关断开,uo=0V。 ui=5V时,二极管导通,如同0.7V的电压源,uo=4.3V。 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。 Ui0.5V时,二极管截止,iD=0。 Ui0.5V时,二极管导通。 2、三极管的开关特性 + - Rb Rc +VCC b c e + - 截止状态 饱和状态 iB≥IBS ui=UIL0.5V uo=+VCC ui=UIH uo=0.3V + - Rb Rc +VCC b c e + - + + - - 0.7V 0.3V 饱和区 截止区 放 大 区 ②ui=0.3V时,因为uBE0.5V,iB=0,三极管工作在截止状态,ic=0。因为ic=0,所以输出电压: ①ui=1V时,三极管导通,基极电流: 因为0iBIBS,三极管工作在放大状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA,输出电压: 三极管临界饱和时的基极电流: uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V uo=VCC=5V ③ui=3V时,三极管导通,基极电流: 而 因为iBIBS,三极管工作在饱和状态。输出电压: uo=UCES=0.3V 3、场效应管的开关特性 工作原理电路 转移特性曲线 输出特性曲线 ui ui G D S RD +VDD G D S RD +VDD G D S RD +VDD 截止状态 uiUT uo=+VDD 导通状态 uiUT uo≈0 6.2 分立元件逻辑门电路 1、二极管与门 Y=AB 2、二极管或门 Y=A+B 3、三极管非门 ①uA=0V时,三极管截止,iB=0,iC=0,输出电压uY=VCC=5V ②uA=5V时,三极管导通。基极电流为: iB>IBS,三极管工作在饱和状态。输出电压uY=UCES=0.3V。 三极管临界饱和时的基极电流为: ①当uA=0V时,由于uGS=uA=0V,小于开启电压UT,所以MOS管截止。输出电压为uY=VDD=10V。 ②当uA=10V时,由于uGS=uA=10V,大于开启电压UT,所以MOS管导通,且工作在可变电阻区,导通电阻很小,只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。 4、场效应管非门 6.4 TTL集成门电路 6.4.1-2 TTL反相器和与非门 6.4.3 TTL或非门 6.4.4-5 TTL与门、或门、与或非门及异或门 6.4. 6-7 集电极开路门 和输出三态门 6.4.8 TTL门电路输入负载特性 退出 6.4 TTL集成门电路 1-2 TTL反相器和与非门 1。A,B中有一个为0(低电平),基极电流经R1流到发射极,T2/T4截止,T3/D导通,输出Y为1(高电平) 2。A,B均为1(高电平),基极电流经R1流到集电极,进入T2基极T2/T4导通,T3/D截止,输出为0(低电平) 3、当T1为单发射极三极管时,就是一个反相器。 功能表 真值表 逻辑表达式 输入有低,输出为高;输入全高,输出为低。 ①A、B中只要有一个为1,即高电平,如A=1,则iB1就会经过T1集电结流入T2基极,使T2、T4饱和导通,输出为低电平,即Y=0。 ②A=B=0时,iB1、iB1均分别流入T1、T1发射极,使T2、T2、T4均截止,T3、D导通,输出为高电平,即Y=1。 3、TTL或非门 ①A和B都为高电平(T2导通)、或C和D都为高电平(T‘2导通)时,T4饱和导通、T3截止,输出Y=0。 ②A和B不全为高电平、并且C和D也不全为高电平(T2和T‘2同时截止)时,T4截止、T3饱和导通,输出Y=1。 4、与门、或门、与或非门及异或门 与门 Y=AB=AB 或门 Y=A+B=A+B 异或门 6-7、集电极开路门(OC门)及输出三态门 问题的提出: 为解决一般TTL与非门不能线与而设计的。 ①A、B不全为1时,uB1=1V,T2、T3截止,Y=1。 接入外接电阻R后: ②A、B全为1时,uB1=2.1V,T2、T3饱和导通,Y=0。 外接电阻R的取值范围为: OC门 TSL门 结论:电路的输出有高阻态、高电平和低
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