第6篇 门电路.pptVIP

* * 计 算 机 电 路 基 础 第六章 门电路 第6章 门电路 6.1 概 述 6.2 分立元件门电路 6.3 CMOS集成门电路 6.4 TTL集成门电路 退出 　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。 　　逻辑0和1： 电子电路中用高、低电平来表示。 预备知识： 半导体器件的开关特性 1、二极管的开关特性 　　逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。 　　基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。 二极管符号： 正极 负极 ＋　uD 　－ 1、概述 uo uo ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。 Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 Ui0.5V时，二极管导通。 2、三极管的开关特性 ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － 截止状态 饱和状态 iB≥IBS ui=UIL0.5V uo=+VCC ui=UIH uo=0.3V ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － ＋ ＋ － － 0.7V 0.3V 饱和区 截止区 放 大 区 ②ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压： ①ui=1V时，三极管导通，基极电流： 因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA，输出电压： 三极管临界饱和时的基极电流： uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V uo=VCC=5V ③ui＝3V时，三极管导通，基极电流： 而 因为iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压： uo＝UCES＝0.3V 3、场效应管的开关特性 工作原理电路 转移特性曲线 输出特性曲线 ui ui G D S RD +VDD G D S RD +VDD G D S RD +VDD 截止状态 uiUT uo=+VDD 导通状态 uiUT uo≈0 6.2 分立元件逻辑门电路 1、二极管与门 Y=AB 2、二极管或门 Y=A+B 3、三极管非门 ①uA＝0V时，三极管截止，iB＝0，iC＝0，输出电压uY＝VCC＝5V ②uA＝5V时，三极管导通。基极电流为： iB＞IBS，三极管工作在饱和状态。输出电压uY＝UCES＝0.3V。 三极管临界饱和时的基极电流为： ①当uA＝0V时，由于uGS＝uA＝0V，小于开启电压UT，所以MOS管截止。输出电压为uY＝VDD＝10V。 ②当uA＝10V时，由于uGS＝uA＝10V，大于开启电压UT，所以MOS管导通，且工作在可变电阻区，导通电阻很小，只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。 4、场效应管非门 6.4 TTL集成门电路 6.4.1-2 TTL反相器和与非门 6.4.3 TTL或非门 6.4.4-5 TTL与门、或门、与或非门及异或门 6.4. 6-7 集电极开路门 和输出三态门 6.4.8 TTL门电路输入负载特性 退出 6.4 TTL集成门电路 1-2 TTL反相器和与非门 1。A,B中有一个为0（低电平），基极电流经R1流到发射极，T2/T4截止，T3/D导通，输出Y为1（高电平） 2。A,B均为1（高电平），基极电流经R1流到集电极，进入T2基极T2/T4导通，T3/D截止，输出为0（低电平） 3、当T1为单发射极三极管时，就是一个反相器。 功能表 真值表 逻辑表达式 输入有低，输出为高；输入全高，输出为低。 ①A、B中只要有一个为1，即高电平，如A＝1，则iB1就会经过T1集电结流入T2基极，使T2、T4饱和导通，输出为低电平，即Y＝0。 ②A＝B＝0时，iB1、iB1均分别流入T1、T1发射极，使T2、T2、T4均截止，T3、D导通，输出为高电平，即Y＝1。 3、TTL或非门 ①A和B都为高电平（T2导通）、或C和D都为高电平（T‘2导通）时，T4饱和导通、T3截止，输出Y=0。 ②A和B不全为高电平、并且C和D也不全为高电平（T2和T‘2同时截止）时，T4截止、T3饱和导通，输出Y=1。 4、与门、或门、与或非门及异或门 与门 Y=AB=AB 或门 Y=A+B=A+B 异或门 6-7、集电极开路门（OC门）及输出三态门 问题的提出： 为解决一般TTL与非门不能线与而设计的。 ①A、B不全为1时，uB1=1V，T2、T3截止，Y=1。 接入外接电阻R后： ②A、B全为1时，uB1=2.1V，T2、T3饱和导通，Y=0。 外接电阻R的取值范围为： OC门 TSL门 结论：电路的输出有高阻态、高电平和低