第3章 费米分布与玻耳兹曼分布-zhaowr-2010.pptVIP

* 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 对于非简并半导体，杂质浓度低，杂质原子间的相互作用可以忽略。被杂质原子束缚的电子在杂质原子间没有共有化运动，因此，在禁带中形成孤立的能级。但对于重掺杂的简并半导体，杂质浓度很高，杂质原子互相间靠得很近，被杂质原子束缚的电子的波函数显著重叠，产生共有化运动，从而孤立的能级扩展为能带，称为杂质能带。所以，这种杂质能带中的杂质电子可以通过杂质原子之间的共有化运动参与导电的现象称为杂质带导电。 简并半导体中，杂质能级扩展为能带并进入导带中与导带相连，形成新的简并导带，使能带边缘延伸，导致禁带宽度变窄。 * 物理与光电工程学院 作业 P103， 18，19，21 实践：计算单掺杂的P型半导体刚好发生简并化时的杂质浓度NA。 * 物理与光电工程学院 复习 例1. 对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFnEFi 证明：设nn为n型半导体的电子浓度，ni为本征半导体的电子浓度。显然 nn ni 得证。 * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 例2、试分别定性定量说明： （1） 在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，载流子浓度越高； （2） 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，载流子浓度越高。 解： （1）在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄，则跃迁所需的能量越小，所以受激发的载流子浓度随着禁带宽度的变窄而增加。 * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 由公式 也可知道，温度不变而减少本征材料的禁带宽度，上式中的指数项将因此而增加，从而使得载流子浓度因此而增加。 (2) 对一定的材料，当掺杂浓度一定时，温度越高，受激发的载流子将因此而增加。由公式 可知，这时两式中的指数项将因此而增加，从而导致载流子浓度增加。 * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 解：由 得 本征半导体常用参数：P61 例3. 若两块Si样品中在300K时的电子浓度分别为2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级相对于价带顶的位置，并判断样品的导电类型。假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，这两块样品的导电类型又将怎样？ * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 可见 又因为 则 Nv * 物理与光电工程学院 3.6.5 杂质带导电 假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，那么将出现杂质补偿，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 因此，第一种半导体中的空穴的浓度为1. 1×1010cm-3,费米能级在价带上方0.234eV处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3×103cm-3,费米能级在价带上方0.331eV处。掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 * 物理与光电工程学院 谢谢 Thanks Next：第4章 半导体的导电性 Chapter 4 Electrical Conductivity of Semiconductor * 物理与光电工程学院 将上式右边第二项分子展开并取到第二项，得到： (a) 极低温下, NC’很小, N’CNA 电子浓度与ND-NA和NC成正比,且随温度的升高而增大 (3.5-8) 上式可以写为： 讨论 3.5 一般情况下的载流子浓度 (3.5-9) * 物理与光电工程学院 将n0的表示式 代入上式，解得此时的费米能级为： (3.5-10) 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 物理与光电工程学院 (b) 低温下, 设 NDNA（或者NA=0），且满足NDNC’NA (即相当于只有施主杂质的情况) 此时(3.5-7)式可化为： 3.5 一般情况下的载流子浓度 (3.5-11) * 物理与光电工程学院 解得此时的费米能级为： (3.5-12) 当ND2NC时，EF在ED和EC之间的中线以下； 当ND2NC时，则EF位于ED和EC之间的中线以上，甚至可以进入导带低EC以上，即简并化。 3.5 一般情况下的载流子浓度 (2)中间电离区 温度继续升高,施主电离程度继续增大,当n0NA时,受主的作用可忽略不计. 与单掺杂低温弱电离情况相似 * 物理与光电工程学院  电中性条件： n0=ND-NA 即有效杂质完全电离为导带提供电子。 (3)强电离区 当温度升高到一定值后，有效施主杂质全部已经电离，此时半导体处于强电离或饱和电离温度区。但本征激发仍可忽略。 + + + + + + + - - -