复旦微电子模拟电路第4章习题的答案.docVIP

第4章习题解答 在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中，已知场效应管的参数和VTH，电源电压VDD以及电阻R的值，试求参考电流Iref的表达式。 解：图4-9(a)电路如下： 解以上方程即可求得Iref，注意在两个解中取使场效应管工作在饱和区的解。 若在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中，要求IO＝1mA。已知场效应管T1的沟道宽长比是T2的5倍，两管的VTH＝0.75V，电源电压VDD＝5V，T1的。试求电阻R的值。 解： 解以上方程即可求得R的值，注意在两个解中取使场效应管工作在饱和区的解。 试证明图4-14(b)电路中，电流源的输出电阻为。 证明：在图4-14(b)电路中，为求电路的输出电阻，可以将电路进行交流等效然后用电路分析的方法求。解，但这样求解比较烦琐，可以通过分析电路的结构用简化的分析方法求解。 分析电路的结构得知，T2管的集电极与发射极间的输出电阻为，这样求解电路的输出电阻可以近似为T4发射极接电阻的共发射极放大器的输出电阻的求解，这样图4-14(b)电路的简化交流等效电路如下： 则： 在 且忽略情况下，可求得： 若已知下图中R1＝600?，R2＝200?，Iref＝0.5mA，试求IO的值，并讨论由此结果可以得出IO与Iref之间有什么近似关系？在什么条件下此近似关系成立？ 解：这是比例电流镜。由图可见： 当? 比较大的条件下， 代入题目给出的已知条件得： 这是个超越方程，可以用图解法或累试法求解得，如果比较小，IO与Iref之间近似关系为：，计算结果证实该近似结果。 因此近似关系成立的条件为比较小，即。 若在微电流镜中已知VCC＝15V，要求Iref＝0.75mA，IO＝30?A，试求电阻R和R2的值。 解：微电流镜的电流关系为 根据题目给出的已知条件得： 而，求得 画出用双极型晶体管构成的有源负载共射放大器，并证明其电压增益为。其中VA1和VA2分别为共射放大器和有源负载的晶体管的Early电压。 解：以镜像电流源为有源负载的共发射极放大器简化电路如下所示（图中T1的基极偏置电路省略，可以由直接耦合的前级电路提供）： 、 其交流等效电路为： 故其电压增益绝对值为： 假设下图电路中，场效应管T1、T2的参数为，不考虑沟道长度调制效应。T3的参数为rds＝80k?，ISS＝1mA。RD1＝RD2＝5K?。试求差模电压增益和共模抑制比。 解：不考虑沟道长度调制效应，差动放大电路的差模电压增益为： 其中 则 =161 若在上题中考虑场效应管T1、T2的沟道长度调制效应，已知VA＝60V，则结果有何变化？ 解：若考虑场效应管T1、T2的沟道长度调制效应，则差模电压增益和共模电压增益的绝对值都将减小，但共模抑制比不变。 用分立元件构成的差分放大器常常采用下图的形式。若已知VCC＝15V，VEE＝－15V，RC1＝RC2＝10k?，REE＝15k?。试求差分放大器的差模电压增益和共模抑制比。 解：先进行静态工作点的求解， ， 得： 差分放大器的差模电压增益为： 单端输出共模电压增益为： 试证明：上题电路的共模抑制比为：。此结果表明分立元件差分放大器电路的共模抑制比受到电源电压的限制。 证明： 双端输入、单端输出的差分放大器如下图所示。已知晶体管参数?＝100，VBE＝0.65V。VCC＝15V，VEE＝－15V，RC＝10k?，REE＝15k?。ri1＝ri2＝600?分别是两个信号源的源内阻。试求该放大器的差模电压增益vo / vid和共模电压增益vo / vi。 解：这是双端输入单端输出的情况，先进行静态工作点的求解， ， 差模电压增益： 共模电压增益： 若第7题电路中在T1、T2的输出之间接有负载电阻RL（即RL跨接在vo1、vo2之间），试求差分放大器的差模电压增益和共模抑制比的表达式。 解：不考虑沟道长度调制效应，差动放大电路的差模电压增益为： 其中 若在有源负载差分放大器的源极串联一个电阻R，如下图所示。假设整个电路仍然保持对称，已知ISS以及各晶体管的参数和rds。试求此时的差模放大倍数表达式。 解：不考虑T1、T2沟道长度调制效应，差动放大电路的差模电压增益为： 其中 如下图所示，在基本差分放大器的发射极串联一个电阻R。试分析该电路的大信号传输特性，画出传输特性曲线并同图4-34比较。 解：由电路图知： 因此： 从上面的式子可以看出，由于R的负反馈作用，使线性范围大大扩展，图略。 假定在下图电路中，所有PNP晶体管的?＝50，VA＝80V，NPN晶体管的?＝150，VA＝130V。VBE均为0.65V。VCC＝15V，VEE＝－15V，R＝30k?。试估算放大器的差模电压增益。 解：首先计算电路的静态工作点，根据静态工作点计算电路的动态参数