智能仪器的设计基础课件第五讲 微处理器系统的设计.ppt

智能仪器设计基础 第五讲 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 微处理器系统设计 3、微处理器与存储器的并行接口（4） AT89C52的对外访问时序2一数据存储器写 3、微处理器与存储器的并行接口（5） AT89C52的对外访问时序的时间限制 3、微处理器与程序存储器的并行接口 AT89C52与程序存储器的连接—Flash M29F040 4、Flash存储器M29F040功能 4Mbit（512Kb×8）单电源Flash存储器，5V电压用于编程、读和擦除 访问时间：70ns；字节编程时间：10us； 擦除时间：块擦除1s，芯片擦除2.5s 编程和擦除通过片内控制器完成（P/EC） 电源：5V 电源 VCC 输出使能 /G 写使能 /W 数据输入/输出 DQ0-DQ7 片选使能 /E 地 VSS 地址信号 A0-A18 5、M29F040的操作（1） 擦除恢复 ER 擦除挂起 ES 芯片擦除 CE 编程 PG 块擦除 BE 读电子签名 RSIG 片选使能 RBP 读操作/复位 RST Flash的操作 读操作/复位 F0h 擦除挂起 B0h 编程 A0h 建立擦除 80h 读电子签名/块保护状态 90h 芯片擦除确认 10h 块擦除回复/确认 30h 读操作 00h Flash的操作命令 5、M29F040的操作（2） 开始 读Flash内容 地址：给定 数据：存储内容 写Flash控制器，对Flash进行复位 地址：任意 数据：F0h 读下一个吗？ 写其它操作命令 Y N Flash的读操作 开始 写Flash控制器， 地址：5555h 数据：AAh 成功结束？ 结束 N Y 写Flash控制器， 地址：2AAAh 数据：55h 写Flash控制器， 地址：5555h 数据：80h 写Flash控制器， 地址：5555h 数据：AAh 写Flash控制器， 地址：5555h 数据：AAh 查询状态字的DQ7、DQ6和DQ5判断编程是否结束或过程出错 错误处理 Flash的芯片擦除操作 写Flash控制器， 地址：2AAAh 数据：55h 写Flash控制器， 地址：5555h 数据：10h 5、M29F040的操作（3） 开始 写Flash控制器， 地址：5555h 数据：AAh 成功结束？ 结束 N Y 写Flash控制器， 地址：2AAAh 数据：55h 写Flash控制器， 地址：5555h 数据：A0h 写Flash控制器， 地址：欲编程地址 数据：欲编程数据 读Flash控制器， 地址：任意 数据：编程状态字 读数据查询位或触发位直到编程结束 查询状态字的DQ7、DQ6和DQ5判断编程是否结束或过程出错 错误处理 Flash的编程操作（Byte by Byte） M29F040的读操作时序 M29F040的写操作时序 6、微处理器与程序存储器M29F040的并行接口 7、微处理器与数据存储器的并行接口举例 IS61LV256 AT89C52与数据存储器的连接—举例 7、IS61LV256 的接口时序 IS61LV256的读时序 IS61LV256的写时序 8、AT89C52与数据存储器IS61LV256 的接口 9、微处理器与外设的并行接口及端口扩展（1） 外设并行端口的扩展—Buffer-Latch模型 9、微处理器与外设的并行接口及端口扩展（2） 外设并行端口的扩展举例—键盘动态扫描 9、微处理器与外设的并行接口及端口扩展（3） 外设并行端口的扩展举例—LED动态扫描 10、微处理器与外设的串行接口（1） MCU与外设的接口分类 并行接口 串行接口 三总线并行接口 GPIO（一般意义I/O口）接口 Buffer-Latch扩展并行接口 简单串行外设总线：SPI、I2C 复杂串行外设总线：