第三章场效应管及其放大电路2.pptVIP

* 一、场效应管偏置电路 1、自给偏置电路 自给偏置电路： 适合结型场效应管和耗尽型MOS管 外加偏置电路： 适合增强型MOS管 UGS = UG-US = -ISRS ≈ -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) G S D 基本自给偏置电路 3.4 场效应管放大电路 RS的作用：1.提供栅源直流偏压。2.提供直流负反馈，稳定静态工作点。RS越大，工作点越稳定。 偏置电路 改进型自给偏置电路 大电阻（M?)， 减小R1、R2对放大电 路输入电阻的影响 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 分压式自给偏置电路 R1R2提供一个正偏栅压UG 偏置电路 -IDRS R1和R2提供一个固定栅压 UGS = UG-US 注：要求UGUS，才能提供一个正偏压，增强型管子才能 正常工作 二、场效应管的低频小信号模型 iD 由输出特性： iD=f(vGS,vDS) S D gds vgs + - + - vds G id gmvgs 共源放大电路 （1） 直流分析 UGS = UG-US -IDRS UGSQ和IDQ UDSQ=ED-IDQ(RS+RD) 基本放大电路 Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS gmUgs S Ugs Ui Uo 未接Cs时 一般rds较大可忽略 = - gmUgsRD Ugs + gmUgsRs = - gmRD 1 + gmRs RD=RD//RL （2） 动态分析 ri=RG+(R1//R2) ≈RG ro ≈ RD ri ro Id G RG R1 R2 RD RL D rds RS gmUgs S Ugs Ui Uo 未接Cs时 = - gmRD 1 + gmRs ri ri=RG+(R1//R2) ≈RG ro ro ≈ RD 接入Cs时 AU= -gm(rds//RD//RL) ri=RG+(R1//R2) ≈RG ro =RD//rds≈ RD Rs的作用是提供直流栅源电压、引入直流负反馈来稳定工作点。但它对交流也起负反馈作用，使放大倍数降低。接入CS可以消除RS对交流的负反馈作用。 三极管 场效应管 比较内容 两种载流子（多子和少子）参与导电，为双极型器件。 只依靠一种载流子（多子）参与导电，为单极型器件。 导电机理 输入电流控制输出电流，例如，β =20~100 输入电压控制输出电流，gm=0.1ms~20ms 放大原理 1.受温度等外界影响较大，噪声大。 2.输入电阻低（因发射结正偏）。 3.β 较大，放大能力强 1.制造工艺简单，便于大规模集成。 2.热稳定性好，噪声低。 3.输入电阻高，栅极电流iG≈0。 4.gm小，放大能力较低。 特 点 小 结 ·??????由于结构和工作原理的不同，使场效应管具有一些不同于三极管的特点。将两者结合使用，取长补短，可改善和提高放大电路的某些性能指标。 *