直接带隙与间接带隙跃迁14.pptxVIP

一.竖直跃迁与非竖直跃迁 竖直跃迁：电子跃迁的初态、终态对应着布里渊的同一波矢K。GaAs, Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物。 非竖直跃迁：电子跃迁的初态、态终不对应着布里渊区的同一波矢K。Ge、Si中。 ;二.跃迁的K选择定则 以上两种跃迁均满足： ①能量守恒 ②动量守恒; 三.直接带隙跃迁 光子的波数很小 直接带隙跃迁（竖直跃迁） 参与者：光子、电子、空穴 跃迁几率大，属一级微扰过程。 四.间接带隙跃迁 电子跃迁初、终态的 值不相等，有声子参与（ ）; 有声子参加才满足动量守恒的跃迁称为间接带隙跃迁。 有四种量子参与的跃迁; 二.跃迁几率 首先确定包括微扰在内的描述能量的哈密顿量和该系统的波函数,再求解薛定谔方程. ; ; ;三.电子在浅杂质能级和与其相对的能带之间跃迁 束缚电子波函数:; 四.重掺杂下带-带跃迁 当掺杂浓度↑→外层电子的波函数交叠形成杂质能带→进入本征抛物线能带→带尾→带隙变窄→光谱变宽 跃迁矩阵元