1.6形核.pptVIP

1.6 形核 均匀形核及非均匀形核 晶体缺陷具有能量△Gd，它对形核会产生一定影响。 当△Gd=0时，即无缺陷，晶核将均匀形成，称均匀形核。 当△Gd0时,晶核将在具有缺陷能△Gd的晶体缺陷处形成，此称不均匀形核。 实际晶体中存在晶体缺陷，固态相变过程几乎都是非均匀的。 首先讲述均匀形核,然后再学习非均匀形核。 1.6.1 均匀形核 如果母相中任何形核地点都具有相同的驱动力和阻力，因而形核的几率也就相同，即满足△Gd=0时，这时形核是均匀的。 均匀形核相变时的自由焓的变化 ： 将上式整理，得： 当满足UA|ΔGA|,则ΔG—n关系式可以做成曲线 对上式微分求极值，可得临界晶核大小（原子数n*），和临界晶核形成功 求出表面能大小： 1.6.2 非均匀形核 非均匀形核时，系统自由焓变化中多了一项负值，可写成： (1)晶界形核 晶界形核受界面能和晶界几何状态的影响，即与界面、界棱、界隅有关。 新相晶核可有不同的形状。 晶界形核的各种形貌 界面形核SEM照片 界面形核 ?(2)晶棱形核 晶棱形核（复型照片） 晶界不同部位对形核的贡献不等，如图1-12所示。可见，晶核最容易在界隅形成，其次是晶棱，再次是界面。 虽然界面形核不如晶棱及界隅容易，但由于界面面积大，界面上提供的形核位置多，将以界面形核为主。 (3)位错形核 ①围绕着位错形核后，位错消失的部分释放出相应的畸变能； ②对于半共格界面形核，原有的位错可以作为补偿错配的界面位错，使形核时的能量增值减小。 ③溶质原子常在位错线上偏聚，位错又是扩散的通道，此处容易满足新相成分上的需求。 Fe-1.03Cu合金550℃时效的组织，ε-Cu在位错线上形核。  在位错线L上形成一个半径r、长度为l的新相，则形成单位长度的晶核时的系统自由焓的变化为： ΔGD =πr2 + 2πrσ-Alnr A是位错畸变能 当|Z|1时,位错核的形成引起自由焓的变化ΔGD如图1-15中Ⅰ曲线。 当|Z|1时，这时自由焓的变化ΔGD如图1-15中Ⅱ曲线,这时新相无须形核. 一般情况下|Z|1。 ΔG*D存在一个极小值和一个极大值。极小值对应的r**是一个原子偏聚团相对稳定的状态，表明任意位错段都是大小为r**的核胚，而且能稳定地存在于母相中。与极大值相对应的r*是位错临界晶核的半径。 当r**大小的原子偏聚团在能量起伏和成分起伏推动下，成长到r*大小时，就形成临界晶核。形核功是极大值和极小值之差。 1、固态相变中的有核相变，其晶核必须达到临界大小，即达到n*，r晶棱，r* 等临界晶核尺寸。各种合金中相变的临界晶核尺寸不等。如钢中，约为100nm以下。 如在Fe-C合金中，扩散型相变形核初期，奥氏体中必须有贫碳区和富碳区，或者依靠涨落形成贫碳区或富碳区。这是临界晶核形成的条件之一； 2、必须同时具备非线性的浓度涨落、能量涨落，以便满足临界形核功的要求，如达到ΔG*，[ΔG*]， ΔG*D等能量水平，才能形成新相晶核。 3、当新相晶体结构不同于母相时，还应当有结构涨落。 无扩散型相变只需要结构起伏（涨落）和能量涨落。 * * 形核功与表面能的比较， 说明临界形核功等于表面能的1/3。 这部分能量是正值，是系统能量升高的因素，从何而来？它是系统自组织功能的作用而提供的，即能量涨落提供的。 晶界、晶棱、界隅形核的比较 位错形核时自由焓的变化 位错形核系统自由焓变化与r的关系 当|Z|1时:曲线Ⅰ 1.5.3 结束语：