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電子學基本概論 －－MOS管基礎 測試/于樂 2004/06/21 金屬氧化物半導體場效應管 金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)是利用半導體表面的電場效應逕行工作的,也稱為表面場效應器件. MOSFET又分為N溝道和P溝道兩類,其中每一類又可分為增強型和耗盡型兩種. 增強型與耗盡型的區別 所謂增強型就是當VGS=0時,MOS管中不存在導電溝道,即ID=0.只有當VGS0時才會出現導電溝道及電流. 而耗盡型MOSFET就是當VGS=0時,就存在導電溝道,通過MOS管的電流ID不為零. 由於P型半導體工作原理和N型半導體一樣,故下面以N型半導體介紹MOS管. N溝道增強型MOSFET MOS管的結構介紹: 它是以一塊摻雜濃度較低,電阻率較高的P型半導體薄片作為襯底,利用擴散的方法在P型硅中形成兩個高摻雜的N 區.然後在P型硅表面生長一層很薄的二氧化硅絕緣層,並在二氧化硅的表面及N 型區的表面上分別安置三個鋁電極－柵極ｇ,源機ｓ和漏極ｄ. MOS管的工作原理 MOSFET是利用柵源電壓來產生電場來改變半導體表面感生電荷的多少,從而控制漏極電流的大小. N溝道耗盡型MOSFET N溝道耗盡型MOSFET的結構與增強型基本相同.對於N溝道增強型FET,必須在VGSVT的情況下從源極到漏極才有導電沟道,但N溝道耗盡型MOSFET則是不同的,這種管子在製造時,由於二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子,即使在VGS=0時,由於正離子的作用,也和增強型接入正柵源電壓並使VGSVT時相似. (此處VT為阈值电压) 其情況是:因為帶正電的二氧化硅絕緣層在源區和漏區中間的P型襯底上感應生成很多的負電荷(電子),形成N型沟道,將源區和漏區連接起來,在正的VDS作用下,也有較大的漏極電流ID有漏極流向源極.而如果所加的柵源電壓VGS為負,則是溝道中感應的負電荷減少,從而是漏極電流減小,所以稱它為耗盡型. N溝道增強型的特性曲線 通過上圖可以看出,曲線可以分為三個不同的區域: 1.電阻區 2.恆流區 3.飽和區 同樣的,P溝道的工作原理和特性曲線與N溝道是相似的,只是電壓的正負有所不同,多數載流子不同. 謝謝大家 * + + 電路圖的表示 電路圖的表示 1 4 3 2 ID/mA 0 4 8 16 20 Vds/V 5V 4V VGS=3V 輸出特性曲線 *