第二章 CMOS集成电路制造工艺.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 第二章 CMOS集成电路制造工艺 人类社会已经进入硅器时代 ！ 一、半导体材料-硅 1、什么是半导体？ 6-1固体材料：超导体: 大于10(Ωcm) 从导电特性和 机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制导64-1体: 10~10(Ωcm)4-10-1半导体: 10~10(Ωcm)-10-1绝缘体: 小于10(Ωcm) 从沙子(硅)到晶圆 沙子硅单晶棒硅片地球上丰富度仅次于氧的硅是天然半导体，先拉成晶锭，后制作出晶圆 3、半导体硅特性 1）纯净的硅电导率随温度的上升而指数增加（不同于金属） 2）两种载流子参加导电 3）硅中杂质的种类和数量决定它的电导率 4）掺杂元素、光照、高能电子注入会使得纯净的硅导电 能力显著增加 5）在半导体材料中可以实现非均匀掺杂 4 、硅的结构金刚石结构硅共价键结构 2.1 半导体材料—硅 5、 P型硅和N型硅 Ⅴ族元素：P、As、Sb Ш族元素:B、Al、Ga 硅基集成电路:以硅单晶片为单位制作平面工艺，多层加工 chip 硅片(wafer) NMOS晶体管截面图 纵向：3层结构横向：3个区4个电极，四端器件 二、芯片具体工艺步骤 z制膜:制作各种材料的薄膜。如SiO2、互连线氧化工艺：干氧氧化、湿氧氧化等 淀积工艺：CVD（APCVD、LPCVD、PECVD） PVD（蒸发、溅射） z掺杂：改变材料的电阻率或杂质类型扩散工艺、离子注入、退火 z图形转换：将掩膜版上的图形转移到半导体单晶片上光刻工艺：接触光刻、接近光刻、投影光刻刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 二、氧化膜的性质 1）理想的电绝缘材料：Eg大于8eV 2）化学性质非常稳定 3）室温下只与氢氟酸发生化学反应 4）能很好地附在大多材料上 5）可生长或淀积 在硅圆片上 三、氧化膜的用途 1）光刻掩蔽(选择扩散的掩蔽层，离子注入的阻挡层) 2）MOS管的绝缘栅材料（gate oxide) 3）电路隔离介质或绝缘介质，包括多层金属间的介质 4）电容介质材料 5）器件表面保护或钝化膜 四、热氧化工艺 1、干氧氧化：直接通氧气 氧化剂：干燥氧气 反应温度：900~1200℃ 反应式：Si+O2→SiO2 2、湿氧氧化：同时有氧气和水蒸气，载体气体如氮或氯 氧化剂：高纯水（95 ℃左右）+氧气 3、水汽氧化 氧化剂：高纯水 反应温度：高温 反应式Si+2H2O→SiO2+2H2 进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图 z三种氧化法比较 —干氧氧化：结构致密但氧化速率极低 —湿氧氧化：氧化速率高但结构略粗糙，制备厚 二氧化硅薄膜 —水汽氧化：结构粗糙---不可取 z实际生产： —干氧氧化+ 湿氧氧化+ 干氧氧化 5 分钟+ （视厚度而定）+ 5 分钟 —常规三步热氧化模式既保证了SiO2表面和界面的质量，又解决了生长速率问题 §2.2.2 扩散工艺 一、扩散工艺作用 将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触—磷(P)、砷(As) ——N型硅 —硼(B) ——————P型硅 掺杂技术： 1）扩散—高温过程（结较深，线条较粗） 2）离子注入—常温下进行，注入后需要高温退火处理 （结浅，线条细） 1、扩散法 z替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位 –Ⅲ、Ⅴ族元素 –一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层 z间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙 –Na、K、Fe、Cu、Au等元素 –扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 替位式扩散间隙式扩散 杂质横向扩散示意图 利用液态源进行