第四章集成电路器件工艺1212.pptVIP

E-NMOS的结构示意图(增强型VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 图4.14 E-NMOS的结构示意图 * D-NMOS的结构示意图(耗尽型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 图4.14 D-NMOS的结构示意图 * E-PMOS的结构示意图 (增强型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 图4.14 E-PMOS的结构示意图 * 工作原理：在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。这样，在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 E-NMOS工作原理图 * E-NMOS工作原理图 VgsVt，Vds=0V VgsVt，VdsVgs-Vt VgsVt，VdsVgs-Vt 图4.15 不同电压情况下E-NMOS的沟道变化 P. 56 * NMOS工艺流程 图4.16 NMOS工艺的基本流程 * 表4.3 NMOS的掩膜和典型工艺流程 * 图4.17 NMOS反相器电路图和芯片剖面示意图 S D D S * 图4.1 几种IC工艺速度功耗区位图 * 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 4.2 MESFET和HEMT工艺 4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺 4.4 BiCMOS工艺 * 4.1.1 双极性硅工艺