分析化学课件第九篇.pptVIP

沉淀法是重量分析法中的主要方法。利用沉 淀反应使被测组分以微溶化合物的形式沉淀出 来，再将沉淀过滤、洗涤、烘干或灼烧，最后 称重并计算其含量。 第二节 沉淀重量法对沉淀的要求 第三节 沉淀的溶解度及其影响因素 构晶离子：组成沉淀晶体的离子。 例：用BaSO4重量法测定Ba2+含量时，以H2SO4为沉 淀剂，计算等量和过量0.01mol/L加入SO42-时，在200 mL溶液中BaSO4沉淀的溶解损失。 第四节 沉淀的形成 第五节 影响沉淀纯度的因素 2 混晶或固溶体 3 吸留或包夹 第六节 进行沉淀的条件 第七节 有机沉淀剂（自学） 成核作用 均相成核 异相成核 长大 凝聚 定向排列 构晶离子 晶核 沉淀颗粒 无定形?;V1V2 晶形?;V1V2 异相成核：溶液中的微小颗粒作为晶种。如杂质、灰尘等 长大：溶液中有了晶核后，过饱和溶液中的溶质就可 在晶核上沉积出来，晶核逐渐长成↓颗粒。 有的过饱和溶液就是析不出↓颗粒，原因：无 晶核或晶种。 V1：晶核形成速度 V2：成长速度 24 V1:晶核形成速度 S:　晶核的溶解度 Q：加入沉淀剂瞬间溶质的总浓度 Q - S：过饱和度 K：常数，与沉淀的性质、温度、 介质等有关 相对过饱和度 自发产生晶核的相对过饱和值 冯·韦曼(Von Weimarn)提出了一个经验公式：对同一种?而言，晶核形成速度V1与溶液中的相对过饱和度成正比。 26 冯·韦曼(Von Weimarn)经验式指出： 27 V1:晶核形成速度 对?的要求：1.S小; 2.纯; 3.易过滤洗涤; 4.易转称量形式 一、影响纯度的因素 影响沉淀纯度的因素 共沉淀 后沉淀 表面吸附 吸留与包夹 混晶 共?：当一种难溶物从溶液中?时，溶液中某些可溶性杂质也会被?带下来而混入?中 当?析出后，在放置过程中，溶液中的可溶性杂质慢慢?到原来?表面的现象 28 Fe3+ SO42- Fe3+ SO42- Fe3+ SO42- -Ba2+-SO42--Ba2+-SO42--Ba2+- -SO42--Ba2+-SO42--Ba2+-SO42-- -Ba2+-SO42--Ba2+-SO42--Ba2+- -SO42--Ba2+-SO42--Ba2+-SO42-- （一）共沉淀现象 1. 表面吸附—沉淀表面吸附杂质的现象 表面 沉淀 第二吸附层 溶液 第一吸附层 双电层 图9-2 BaSO4晶体的表面吸附作用示意图 29 吸附规律： A. 第一吸附层 ?先吸附构晶离子 再吸附与构晶离子大小相近、 电荷相同的离子 B. 第二吸附层 与构晶离子生成难溶化合物或解离度较小的化合物的离子优先 其次是电荷高的 再次是浓度大的 吸附量（污染程度） a. ?的总表面积↗，吸附量↗ ； b. C杂质↗，吸附量↗； c. T↗，吸附量↘（吸附是一放热过程） 消除方法：洗涤（少量多次） 30 半径相同、晶体结构相同，极易混晶（固体溶液）。 消除方法： 分离 31 ?速度太快，被吸附在?表面的杂质离子还来不及离开，就被沉积上来的离子所覆盖。 （在分析化学中不重要） （二）后沉淀 当?析出后，在放置过程中，溶液中的可溶性杂质慢慢?到原来?表面的现象。 后沉淀引入杂质的量比共沉淀要多，且随着放置的时间延长而增多。 消除方法：再?（无法用洗涤的方法除之） 例如：控制 [S2-], 可使 CuS ? ，而 ZnS 不 ?。但放置后CuS吸附S2- ，使[S2-]局部过浓，而使 ZnS?。 32 消除方法：不要陈化 Cu S S S Zn 二、提高?纯度的方法 1.步骤（先?少量组分，再?大量组分） 2.选择合适的?剂（如选用有机?剂，可减少共?现象） 3.改变杂质的形式（如Fe3+?Fe2+，或加EDTA掩蔽） 4.改善?条件（见第六节） 5.再?（除吸留、包夹） 6.分离（混晶） 7.校正结果（在上述方法无效的前提下） 33 一.晶形沉淀 稀 热 慢 搅 陈 控制相对过饱和度要小，沉淀要陈化 34 沉淀条件：稀、热、慢、搅、陈 二.无定形沉淀 浓、快、稀 热 大量电解质 不必陈化 必要时再沉淀 含水多、疏松、不易过滤的缺点 这样含水就少，但[杂质]大。解决办法： 沉淀完毕，加热水稀释。 水化程度减少，含水少，可防止胶溶 a.防止胶溶 b.电解质应是易挥发的铵盐或稀的强酸 本来就疏松，一陈化，以后更难洗净 无定形沉淀含杂质多，若对准确度要求高，应再沉淀 35 沉淀条件：浓、热、快、稀、再 三. 均匀沉淀法