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高场强磁共振弥散张量成像对重型创伤性脑损伤预后评价研究.docVIP

高场强磁共振弥散张量成像对重型创伤性脑损伤预后评价研究.doc

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高场强磁共振弥散张量成像对重型创伤性脑损伤预后评价研究

高场强磁共振弥散张量成像对重型创伤性脑损伤预后评价研究   内蒙古民族大学第二临床医学院神经外科,内蒙古牙克石 022150   [摘要] 目的 研究重型创伤性脑损伤(severe traumatic brain injury,STBI)的高场强磁共振弥散张量成像(diffusion tensor imaging,DTI)检查结果,以及DTI的检查结果与STBI患者预后的关系,评价其在预后方面的预测价值。 方法 选择2010年3月~2012年9月内蒙古林业总医院(内蒙古民族大学第二临床医学院)神经外科治疗的STBI患者42例(STBI组),选取同期正常成年人20例作为正常对照组。入院后对STBI组患者行格拉斯哥昏迷评分(GCS),评估患者病情严重性,伤情稳定后对两组进行高场强DTI检查,分析并比较两组各向异性分数(FA)值。治疗后统计STBI组患者格拉斯哥预后评分(GOS),并分析DTI检查结果与GOS评分预后的相关性。 结果 ①STBI组脑干区和胼胝体压部各FA值[(0.693±0.060)、(0.608±0.046)]均低于正常对照组[(0.898±0.078)、(0.841±0.062)],差异均有统计学意义(P   [Key words] High-field magnetic resonance diffusion tensor imaging; Severe traumatic brain injury; Prognosis assess   临床上重型创伤性脑损伤(severe traumatic brain injury,STBI)的发生率呈逐年增加趋势,STBI对社会危害大,死亡率及致残率高[1-2],临床处理复杂,对于STBI患者的伤情判断及昏迷患者的预后预测是神经外科医师共同关注的问题。如果能应用临床检查手段准确地对STBI患者的预后进行早期判断,则对于STBI的病情评估以及制订治疗方案有重要的指导意义和临床应用价值。   在临床中应用格拉斯哥预后评分(Glasow outcome score,GOS)来对神经外科患者预后进行评价,GOS评分在临床上应用方便、快捷[3]。本研究应用非侵入性的磁共振弥散张量成像(diffusion tensor imaging,DTI)检查做为预测STBI患者预后的指标,选取各向异性分数(fractional anisotraphy,FA)值作为研究指标探讨与STBI患者预后的相关性,以期可以找到能够评估预后的指标,以提高STBI的临床诊治水平。研究采用STBI患者的DTI检查结果,回顾性分析DTI的检查结果中FA值与STBI患者预后的关系,评价其在STBI预后方面的预测价值。旨在证实DTI检查作为准确而简便的检测手段,对脑损伤???度评价及预后判断的重要意义。   1 资料与方法   1.1 一般资料   选择2010年3月~2012年9月内蒙古林业总医院(内蒙古民族大学第二临床医学院)神经外科治疗的STBI患者42例(STBI组),其中男27例,女15例,年龄17~65岁,平均(41.1±2.4)岁。受伤原因:车祸伤29例,坠落伤7例,打击伤6例;外伤后均呈持续昏迷状态。全部患者入院GCS评分均在8分以下,其中GCS评分3~4分者11例,5~6分者15例,7~8分者16例。全部42例病例均住院行MRI扫描并行高场强DTI检查,根据美国神经外科医师协会和脑外伤基金会1995年5月制订的《重型颅脑损伤诊治指南》和2006年发布的《脑外伤外科治疗指南》进行规范性治疗。本研究经医院伦理委员讨论通过,并与研究对象签署了知情同意书。   同时选取同期正常成年人20例作为正常对照组,排除颅内病变病史,所有的被选择对象均没有心理和神经病史,所有检查方案均详细告诉志愿者,并获得同意和配合。经过医院伦理委员会论证,同意进行试验。正常对照组同样行高场强DTI检查。   1.2 方法   1.2.1 治疗方案 全部患者根据美国神经外科医师协会和脑外伤基金会1995年5月制订的《重型颅脑损伤诊治指南》和2006年发布的《脑外伤外科治疗指南》进行规范性治疗。3个月后对患者进行GOS评分,标准如下:5分为恢复良好、恢复正常生活;4分为轻度残疾;3分为重度残疾;2分为植物生存;1分为死亡。   1.2.2 扫描方法 采用美国GE公司生产的Signa HDx 3.0T超导型磁共振扫描机,8通道头线圈。DTI弥散张量成像的弥散方向为55,扫描参数:T1 FLAIR:TR 3160 ms,TE 6.6 ms,TI 960 ms;FSE T2WI:TR 5100 ms,TE 121.9 ms;EPI DTI:TR 2000 ms,TE 77.2 ms,b值1000 s/mm。矩阵2

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