新型萘并二噻吩和萘二并吡嗪类高分子半导体材料的合成与场应性能研究.pptVIP

- * - 新型萘并二噻吩和萘二并吡嗪类高分子半导体材料的合成与场效应性能研究 主 要 内 容 二、 研 究 内 容 三、 研 究 方 案 及 可 行 性 分 析 四、 项 目 特 色 及 创 新 点 五、 工 作 基 础 及 研 究 计 划 一、 立 项 依 据 一、立 项 依 据 典型的OFET结构 传感器 存储器 电子纸 一、立 项 依 据 有机半导体材料的分类 载流子 类 型 分 子 大 小 小分子 高分子 p-型 n-型 OFET 材 料 一、立 项 依 据 Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 4108-4110 0.2 cm2V-1S-1 Nat. Mater. 2006, 5, 328-333 0.6 cm2V-1S-1 J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 2605-2612 3.3 cm2V-1S-1 Adv. Mater. 2012, 24, 6457-6461 3.62 cm2V-1S-1 Sci. Rep. 2012, 2, 754-762 10.5 cm2V-1S-1 一、立 项 依 据 J. Org. Chem. 2010, 75, 1228-1234 J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 5024-5035 1.5 cm2V-1S-1 J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 6852- 6860 0.8 cm2V-1S-1 一、立 项 依 据 J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 9638-9641 J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 3498-3507 0.56 cm2V-1S-1 一、立 项 依 据 J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 3498-3507 J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 6852- 6860 二、研 究 内 容 No. 1 基于萘环的两类高分子半导体材料的合成与表征 二、研 究 内 容 No. 1 基于萘环的两类高分子半导体材料的合成与表征 J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 3498-3507 二、研 究 内 容 No. 2 No. 1 薄膜器件的制备、形貌的表征及器件性能的测试 基于萘环的两类高分子半导体材料的合成与表征 二、研 究 内 容 No. 3 No. 2 No. 1 薄膜器件的制备、形貌的表征及器件性能的测试 研究器件性能与材料的分子结构、薄膜形貌间的关系 基于萘环的两类高分子半导体材料的合成与表征 二、研 究 内 容 — 关 键 问 题 修饰基团的引入 NDT结构的扩展 结构创新 性能提高 NP分子的并联 薄膜形貌的调控 三、研 究 方 案 及 可 行 性 分 析 新型萘并二噻吩(NDT)类高分子半导体材料的合成路线 三、研 究 方 案 及 可 行 性 分 析 新型萘二并吡嗪(NP)类高分子半导体材料的合成路线 材料 合成 形貌 调控 性能 优化 OFET材料迁移率的突破 目标 四、项 目 特 色 及 创 新 之 处 二维共轭理念引入萘并二噻吩 — 扩展 π 体系 — 增强 π-π 相互作用 萘二并噻二唑发展出萘二并吡嗪 — 增强 吸电子 能力 — 增强 π-π 相互作用 四、项 目 特 色 及 创 新 之 处 五、工 作 基 础 及 研 究 计 划 器件测试室 材料合成间 器件测试室 五、工 作 基 础 及 研 究 计 划 Org. Electron. 2012, 13, 3234-3243 New J. Chem. 2013, 37, 1728-1735 第 三 阶 段 研究分子结构、薄膜形貌与器件 性能三者之间的关系 探索规律，总结经验 第 二 阶 段 制备薄膜器件，优化器件性能 筛选综合性能优良的材料与器件 第 一 阶 段 设计合成材料，表征材料理化性质 积累产物数量，满足测试需求 五、工 作 基 础 及 研 究 计 划 感谢老师、同学的批评指正！ * * - * - * *