淀积表面薄的形成教学.ppt

第11章　淀　积 表面薄膜的形成 薄膜 分类 1.导电薄膜 2.绝缘薄膜 11章 作用 1.作为器件、电路的一部分（电感） 2.工艺中的牺牲层 内容安排 11章 SiO2 Si3N4 多晶硅层 12章 金属层 本章目标 介绍多层金属化。介绍薄膜的特性，介绍薄膜生长的三个阶段。 了解化学气相淀积CVD的8个步骤，及不同类型的反应。 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及对CVD掺杂薄膜的效应。 介绍不同类型的CVD淀积系统，解释设备功能，讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。各自对应淀积的材料 。 解释绝缘材料对芯片技术的重要性。 讨论外延技术和三种不同的外延层淀积方法。 解释旋涂绝缘介质。 11.1 引言： MSI 的晶体管的各层薄膜 不平 Process Flow in a Wafer Fab 薄膜简介及主要应用 Film Layering in Wafer Fab Diffusion Thin Films 薄膜的相关术语Terminology Multilayer Metallization Metal Layers Dielectric Layers 金属层 材料：铝 、铜 名称：M1、 M6 金属层：增加一层成本增加：15% 关键层：底层金属M1 非关键层：上层金属 考虑：速度与功耗，寄生参数（电容、电感、电阻） Multilevel Metallization on a ULSI Wafer Metal Layers in a Chip 介质层 ILD 层间介质 interlayer dielectric SiO2介电常数 3.9~4.0之间 作用： 电学 物理 11.1　薄膜淀积 薄膜：某一维尺寸远小于另外两维 单位：埃 ? 材料：SiO2、Si3N4、多晶硅、铝、铜、钨（难熔金属） 11.1.2薄膜特性 好的台阶覆盖能力 填充高的深宽比能力 好的厚度均匀性 高纯度和高密度 受控制的 化学剂量 高度的结构完整性和低膜应力 好的电学特性 对衬底或下层好的粘附性 Solid Thin Film 1 膜对台阶的覆盖 11.2.1 膜淀积的外形 高深宽比间隙 11.2.2 膜生长步骤 11.2.3膜淀积技术 11.3 CVDChemical Vapor Deposition 化学气相淀积 The Essential Aspects of CVD 1. 产生化学变化, 化学反应或热分解 (或高温分解)。 2. 膜中所有的材料物质都来自外部的源。 3. CVD工艺中的反应物必须以气相形式参加反应。 Chemical Vapor Deposition Tool CVD化学过程 化学气相淀积过程有5种基本的化学反应 1 高温分解：通过加热化合物分解 2 光分解：利用辐射使化合物分解 3 还原反应：反应物质和氢发生反应 4 氧化反应：反应物质和氧发生反应 5 氧化还原反应：反应3和反应4组合，反应后形成两种新的化合物 CVD Reaction CVD 反应步骤（了解） 速度限制：最慢过程决定（类似木桶原理） CVD 气流动力学 表面停滞层 Pressure in CVD Doping During CVD PSG 磷硅玻璃Phosphosilicate Glass BSG 硼硅玻璃 FSG 氟硅玻璃 CVD 传输和反应步骤 Gas Flow in CVD Gas Flow Dynamics at the Wafer Surface CVD的速度限制 质量传输（输运）限制 反应速度快，提供反应的气体不足 反应速度限制 反应物都能够达到硅片表面，反应速度慢 11.4　CVD 淀积系统 CVD Equipment Design CVD reactor heating CVD reactor configuration CVD reactor summary Atmospheric Pressure CVD, APCVD Low Pressure CVD, LPCVD Plasma-Assisted CVD Plasma-Enhanced CVD, PECVD High-Density Plasma CVD, HDPCVD 连续加工的 APCVD 反应炉 APCVD TEOS-O3正硅酸乙酯－臭氧 好的台阶覆盖性 Planarized Surface after Reflow of PSG PSG磷硅玻璃 SiO2中掺杂磷 特点： 1.阻止杂质钠的扩散，吸收杂质。 2. 柔软，可以在1000~1100°C时流动，可以得到平滑的外形。可以作为最后的钝化膜。 3.压焊点处腐蚀开口。 11.4.3 LPCVD LPCVD Reaction Chamber 淀积氧化物、氮化物和多晶硅 氧化层淀积 LPCVD 二氧化