电力电子技术电子教案第四章 全控型力电子器件.ppt

变频器原理与应用 《电力电子技术》 电力电子技术 第四章 全控型电力电子器件 学习目标 1. 掌握GT0、GTR、功率MOSFET、IGBT四种常见全控型电力电子器件的工作原理、特性、主要参数、驱动电路及使用中应注意的问题。 2. 熟悉常见全控型电力电子器件各自特点以及适用场合。 3. 了解新型电力电子器件的概况。 第一节 门极可关断晶闸管(GTO) 一、GTO的结构与工作原理 1．基本结构 a)芯片的实际图形 b) GTO结构的纵断面 c) GTO结构的纵断面 d)图形符号 图4-1 GTO的内部结构和电气图形符号 2．工作原理 图4-2 GTO的工作原理电路 当图中开关S置于“1”时，IG是正向触发电流，控制GTO导通；S置于“2”时，则门极加反向电流，控制GTO关断。 二、GTO的特性与主要参数 1．GTO的开关特性 图4-3 GTO在开通和关断过程中电流的波形 2．GTO的主要参数 GTO的基本参数与普通晶闸管大多相同。 1) 反向重复峰值电压URRM： ① 不规定URRM值。 ② URRM值很低。 ③ URRM略低于UDRM。 ④ URRM = UDRM。 ⑤ URRM略大于UDRM。 2）最大可关断阳极电流IATO：GTO的最大阳极电流受发热和饱和深度两个因素限制。阳极电流过大，内部晶体管饱和深度加深，使门极关断失效。所以GTO必须规定一个最大可关断阳极电流，也就是GTO的铭牌电流。 3）关断增益βoff 最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益βoff。即 三、GTO的驱动与保护 1．GTO门极驱动电路 对门极驱动电路的要求： 1）正向触发电流iG。由于GTO是多元集成结构， 为了使内部并联的GTO元开通一致性好，故要求GTO 门极正向驱动电流的前沿必须有足够的幅度和陡度， 正脉冲的后沿陡度应平缓。 2）反向关断电流﹣iG。为了缩短关断时间与减 少关断损耗，要求关断门极电流前沿尽可能陡，而 且持续时间要超过GTO的尾部时间。还要求关断门极 电流脉冲的后沿陡度应尽量小。 图4-4 较为理想的门极电压和电流波形 2．GTO的驱动电路 a) b) 图4-5 GTO门极驱动电路 a)小容量GTO门极驱动电路 b)较大容量GTO桥式门极驱动电路 3．GTO的保护电路 a) b) c) d) 图4-6 GTO的阻容缓冲电路 图4-6为GTO的阻容缓冲电路。图4-6a只能用于小电流；图4-6b加在GTO上的初始电压上升率大，因而在GTO电路中不推荐；图4-6c与图4-6d是较大容量GTO电路中常见的缓冲器，其二极管尽量使用速度快的，并使接线短，从而使缓冲器电容效果更显著。 第二节 电力晶体管(GTR) 一、电力晶体管的结构与工作原理 1．电力晶体管的结构 a) b) 图4-7 NPN型电力晶体管的内部结构及电气图形符号 a) 内部结构 b) 电气图形符号 2．工作原理  在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。晶体管通常连接成共发射极电路，GTR通常工作在正偏(Ib＞0)时大电流导通；反偏(Ib＜0)时处于截止状态。因此，给GTR的基吸施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关状态。 二、电力晶体管的特性与主要参数 1. GTR的基本特性 (1)静态特性 共发射极接法时，GTR的典型输出特性如图4-8所示，可分为三个工作区： ① 截止区。在截止区内，iB≤0，uBE≤0，uBC＜0，集电极只有漏电流流过。 ② 放大