模拟电路基础 0090903 第二次课.pptVIP

半导体：晶体结构、导电特性、导电机理 ☆ 常用的半导体材料 ☆ 本征半导体——化学成分纯净的半导体 1.共价键结构；2.本征激发；3.本征半导体中的载流子 载流子复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使两者同时消失的现象。 杂质半导体—— 掺入杂质的半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型/ P型半导体 杂质半导体的载流子浓度 在本征Si或Ge中掺入少量的Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等）后，自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体，也称为电子半导体； 杂质原子替代晶体点阵中的某些Si原子，它的四个价电子与相邻的四个Si原子形成稳定的共价键时，多出的一个价电子只能位于共价键之外，且几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子； 因杂质原子“施舍” 电子，被称为施主原子，这一现象称为施主电离。施主电离产生自由电子-正离子对，不产生空穴； 施主离子被束缚在晶格中，不能自由移动，因而不能参与导电。 在本征Si或Ge中掺入少量Ⅲ族元素（如硼、铝和铟等）后，空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P型半导体，也称为空穴半导体。 杂质原子替代晶体点阵中的某些Si原子，它的三个价电子与相邻的四个Si原子形成稳定的共价键时，只有三个共价键是完整的，第四个共价键因缺少一个价电子而出现一个“空位”（电中性）。这个空位极易被邻近Si原子共价键中的价电子填补，使杂质原子多出一个价电子而成为不可移动（因此，不参与导电）的负离子，同时在邻近产生一个空穴。 因杂质原子“接受”价电子，被称为受主原子，这一现象称为受主电离。受主电离产生空穴-负离子对，不产生自由电子。 空间电荷层→非中性区 偏置：泛指在半导体器件上所加的直流电压或电流。 正向偏置：若外加直流电压使P区电位高于N区电 位，称PN结加正向电压或正向偏置 （简称正偏）。 反向偏置：若外加直流电压使P区电位低于N区电 位，称PN结加反向电压或反向偏置 （简称反偏）。 1. 描述PN结的形成过程。 2. 描述正偏时PN结空间电荷层的变化。 PN结反偏动画演示 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流——正向PN结是导通的； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流——反向PN结是截止的； 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。其实质是→PN结正偏时，形成较大的正向电流；而反偏时，仅有很小的反向饱和电流。简言之，正偏导通，反偏截止。 v →外加偏压，正偏时为“+”，反偏时为“-” 3. PN结的伏安特性 在PN结的两端施加某一电压时，通过PN结的电流为： IS →反向饱和电流； VT →温度的电压当量。 i →从阳极经过PN结流向阴极的电流； (1) 当v = 0时，i = 0 ； (3) 当v0，且|v| VT时，i ? – IS 。 讨论→ (2) 当v0，且v VT 时， ； 这就是PN结的单向导电性，即： PN结具有单向导电性。 电容效应是指二极管外加电压变化引起了PN结中储存的空间电荷量随之变化的特性。 PN结的结电容CJ是势垒电容CT和扩散电容CD之和： 由于CT和CD一般都很小（结面积小的为1pF左右，结面积大的为几十至几百皮法），对于低频信号呈现出很大的容抗，其作用可忽略不计，因而只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。 CJ = CT + CD 4. PN结的电容效应 (1) 势垒电容CT 当PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度是随之变化的，即耗尽层的电荷量随外加电压而增大或减少，这种现象与电容器的充放电过程相同。耗尽层宽窄变化等效的电容称为势垒电容CT。 势垒电容值的计算公式: 其中：S是PN结面积；d 是PN结宽度； ?是半导体的介电常数。 PN结势垒电容示意图 (2) 扩散电容CD 为了形成正向扩散电流，注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，且越靠近PN结浓度差越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流越大，积累的电荷越多。扩散路程中载流子的这种变化是电荷积累和释放的过程，与电容器的充放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容CD。 其中：?