模拟电路基础 20090922第七次课.pptVIP

直流参数 直流电流放大系数 和 极间反向电流ICBO和ICEO 交流参数 交流电流放大系数α和? 频率参数fβ和fT 极限参数 集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压 BJT是一种复杂的非线性器件 三种截然不同的工作状态： 放大---模拟放大电路 截止---数字电路 饱和---数字电路 工作状态的分析方法 图形分析法—输入和输出特性曲线及负载线 模型分析法—BJT的直流模型 例2.2 在电子设备中测得某只放大管三个管脚对机壳的电压如图2.13所示。 BJT的工作状态的分析方法： 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB 由于半导体材料的热敏特性，晶体管的参数几乎都与温度有关。 对于电子线路，如果不能解决温度稳定性问题，将不能使其实用，因此了解温度对晶体管特性及参数的影响是非常必要的。 由于硅管ICBO的比锗管小的多，所以从绝对数值上看，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 二极管大信号模型——根据伏安关系的特点进行模型化； 三极管简化的直流模型——根据伏安特性曲线的特点进行模型化。 * * Chap2 双极型晶体三级管 （6学时，第七次课） ylzhang@ee.uestc.edu.cn BJT内部结构及特点 N N P B E C 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 集电区：面积大；掺杂浓度低于发射区 基区：很薄，掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 三极管内载流子的传输过程及内外部电流关系 2.电子在基区中的扩散与复合 3.集电区收集扩散过来的电子 另外, 基区空穴向发射区扩散注入，形成空穴注入电流IEP；在集电结上存在基区集电区的少子漂移运动，由此形成电流ICBO 1.发射区向基区注入电子 IE=IB＋IC IE=IEN＋IEP IB=IBN ＋IEP －ICBO IC=ICN＋ICBO IEN=IBN＋ICN 两个要点 三极管的放大作用，主要是依靠它的iE通过基区传输，然后顺利到达集电极而实现的。故要保证此传输，一方面要满足内部条件，即发射区掺杂浓度要远大于基区掺杂浓度，基区要薄；另一方面要满足外部条件，即发射结正偏，集电结要反偏。 输入电压的变化，是通过其改变输入电流，再通过输入电流的传输去控制输出电压的变化，这就是传统的认为BJT是一种电流控制器件的观点。 1. 发射结正向电压vBE对各极电流的控制作用 ——BJT的正向控制作用 2.集电结反向电压vCB对各极电流的影响 ——基区宽度调制效应 共射输入特性曲线 (输入端的电流与电压间的关系曲线) iB=f(vBE)? vCE=const 曲线的形状与PN结正偏时的伏安特性曲线类似。 集电结反偏电压vCE增大时，输入特性曲线略为右移，这意味着当VBE不变时，VCE增大会使iB因基区宽调效应而减小。 放大区VCE对iB的影响甚小，输入特性曲线族会密集在一起，因此，工程上往往将输入特性曲线族近似为一条曲线。 输入特性曲线有以下两个特点： 共射输出特性曲线 图2.6 NPN管输出特性曲线 输出特性曲线的四个区域，对应于BJT的四种工作状态。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.3V。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，IC=ICEO ?0。 温度对BJT特性及参数的影响 由于 ，ICEO随温度的变化与ICBO类似: 3. 温度对输出特性曲线的影响 2. 温度对输入特性曲线的影响 1. 温度对ICBO 和ICEO 的影响 温度每升高10℃, ICBO 增加约一倍；反之，温度减低时减小。 BJT主要参数 一般作近似处理： ? = ? = （2） 集电结反向穿透电流ICEO ICEO是BJT在共发射极应用且基极开路，外加电压极性如图所示时，流过集电极与发射极间的穿透电流。此时，集电结被加上反向电压，而发射结被加上的是正向偏压。 B E C N N P ICBO ICEO IE= (1+? )IB 当集电结被加上反向偏压时，流过集电结的反向饱和电流是由空穴进入基极和自由电子离开基极形成的。 由于基极开路，只能由从发射区越过发射结扩散到基区的自由电子，来补充源源不断进入集电区的自由电子，并中和进入基区的空穴，其效果是相当于给基极提供了大小等于ICBO的基极电流。根据： ICEO= IE= (1+? )ICBO 2.4 BJT简化直流模型及工作状态分析 静态工作点——外电路偏置下的晶体管，其各极