基于K60单片机SDRAM控制模型设计及实现.docVIP

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基于K60单片机SDRAM控制模型设计及实现

基于K60单片机SDRAM控制模型设计及实现   摘 要:本文阐述了无SDRAM控制器环境中使用单片机K60的GPIO口驱动SDRAM的硬件组成和软件设计,并测试了该系统的主要性能,给出了该系统的应用举例,具有低功耗、功能齐全、人机界面友好等优点。   关键词:SDRAM;单片机;MK60DN512ZVLQ10;存储管理;控制程序   中图文分类号:TP368   随着集成电路技术与工艺的发展进步,单片机应用领域也逐渐扩广,进入到社会生产生活的方方面面。在某些成本敏感的应用场合迫切需要具有速度高、容量大的深度嵌入式系统,技术的进步,使得以低廉的价格获得高性能,低功耗单片机成为可能。借助极高的接口速度,我们就可以使用普通GPIO口在没有SDRAM控制器的廉价单片机上实现软件驱动SDRAM。   1 硬件介绍   1.1 单片机   Kinetis系列是飞思卡尔(Freescale)公司于2010年下半年推出的业内首款基于ARM Cortex.M4内核的微控制??,K60系列是Kinetis系列的第一阶段产品之一[1]。K60具有丰富的外设接口:(1)高速16位模数转换器;(2)12位数模转换器,带有片上模拟电压参考;(3)多个高速比较器和可编程增益放大器;(4)低功耗触摸感应功能,通过触摸能将器件从低功耗状态唤醒;(5)多个串行接口,包括UART;(6)强大灵活的定时器;(7)片外系统扩展和数据存储选项。   1.2 SDRAM   本文选用Hynix的H57V2562GTR-60C 256Mb SDRAM,其为4M x 4Bank x16bit组织结构。操作SDRAM的主要命令[2]有:   MRS (Mode Register Set,模式寄存器设置),   NOP (No Operation,空操作),BA(Bank Active,存储器激活),RD(Read,读,可设置是否自动预充电),WR(Write,写,可设置是否自动预充电),PB(Precharge Bank,预充电存储器,可设置全部/选定Bank),BS(Burst stop,停止突发传输),DQM(DQM,数据掩码),AR(Auto Refresh,自动刷新),BRSW(Burst-Read Single-Write,突发读单一写),SR(Self Refresh,自刷新,进入/退出),PPD(Precharge Power Down,掉电预充电,可设置进入/退出),CSS(Clock Suspend,时钟挂起可设置进入/退出)。   1.3 显示器LCD及摄像头Ov7725   本文选用2.4英寸240*320像素LCD作为显示器,摄像头采用Ov7725。   2 硬件连接   2.1 MCU与SDRAM接口   SDRAM需要一组16位宽的接口进行数据传输,13位宽的接口进行地址设定,两根Bank选择线,CS,CLK,CKE,WE,CAS,RAS,LDQM,UDQM各一根。K60的C口和E口均为完整16位口,可以用作地址线和数据线接口,剩余控制线使用单片机未用接口即可。   2.2 MCU与LCD接口   该LCD控制器一共需要13根控制线,其数据线需要一个完整的8位口,接在K60的口8至15位,剩余控制线使用单片机未用接口即可。   2.3 MCU与Ov7725接口   Ov7725[3]是一片CMOS的集成图像传感器,一共需要13根控制线,其数据线需要一个完整的8位口,接在K60的B口0至7位,剩余控制线使用单片机未用接口即可。   3 软件设计   3.1 SDRAM底层驱动构件   本层构件的功能是以软件方式实现基本的内存命令,为上层软件提供服务。主要函数原型和说明如下所述:   GPIO_Initial()初始化驱动SDRAM的GPIO口;MRS(u16 mode)设置模式寄存器,参数mode为模式寄存器控制字;BA(u8 bank,u16 addr)激活BANK,发送行地址,参数bakn为BANK编号,address为行地址;RD(u8 bank,u16 addr,u8 AutoPreCharge)读取指定地址处数据,参数bank为BANK编号,addr为列地址,AutoPreCharge表示是否自动预充电;WR(u8 bank,u16 addr,u8 AutoPreCharge)在指定地址处写入,参数bank为BANK编号,addr为列地址,AutoPreCharge表示是否自动预充电;PBAll()给所有BANK预充电;PBOne(u8 bank)给选定BANK预充电,参数bank为BANK编号   AR()自动刷新;SREntry()自刷新进入;SRExit()自刷新退出;NOP()空操

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